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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
1SV285TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV285TPH3F 0.0834
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV285 ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 2.35pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2.3 C1/C4 -
TPC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8066-H -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8066 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 16mohm @ 5.5a 、10V 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 10 V - 1W
DSF05S30U(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage DSF05S30U -
RFQ
 ECAD 8061 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 DSF05 ショットキー USC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 500 Ma 125°C （最大） 500mA -
TK35N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W、S1F 7.8600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK35N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 35a（ta） 10V 80mohm @ 17.5a 、10V 3.5V @ 2.1MA 100 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 270W
TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K9A60F 、S4x 0.9000
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK1K9A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 3.7a（ta） 10V 1.9OHM @ 1.9A 、10V 4V @ 400µA 14 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 30W （TC）
HN2A01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn2a01fu-y（te85l、f 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2A01 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1103ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2562 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1103 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-GR （TE85LF -
RFQ
 ECAD 8778 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN2A01 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 800MHz
CTS05S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S30 、L3f 0.3400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS05S30 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 30 V 340 mV @ 100 Ma 150 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 55pf @ 0V、1MHz
CMS15I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS15I40A 0.5900
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS15 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 490 mV @ 1.5 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 62pf @ 10V、1MHz
SSM3J371R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J371 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 55mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 630 PF @ 10 V - 1W
2SC4604,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604 -
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC4604 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 3 a 100na（icbo） npn 500MV @ 75MA 、1.5a 120 @ 100MA 、2V 100MHz
RN2705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2705je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2705 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2235-Y(T6KMATFM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y（t6kmatfm -
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2235YT6KMATFM ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37CTD -
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N37 モスフェット（金属酸化物） 140MW CST6D ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 250ma 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA - 12pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1105ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 8471 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1105 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 2.2 KOHMS 47 Kohms
2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060 -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W pw-mini ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 50 v 2 a 100na（icbo） PNP 200mV @ 33MA、1a 200 @ 300MA 、2V -
1SS370TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS370TE85LF -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS370 標準 SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j16ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J16 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 8OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 11 pf @ 3 v - 100MW
TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W5、LVQ 4.3000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C（ta） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK31V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 30.8a 10V 109mohm @ 15.4a 、10V 4.5V @ 1.5MA 105 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
2SC3668-Y,F2PANF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3668-y、f2panf（j -
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1606 0.4200
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1606 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J214FE （TE85L、f 0.3900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J214 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 30 V 3.6a（ta） 1.8V 、10V 50mohm @ 3a 、10V 1.2V @ 1MA 7.9 NC @ 4.5 v ±12V 560 PF @ 15 V - 500MW
TK4A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A65DA -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 3.5a（ta） 10V 1.9ohm @ 1.8a 、10V 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 35W （TC）
RN1604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1604 0.0618
RFQ
 ECAD 1849 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1604 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
2SC2655-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y、f（j -
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC2383-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-y、t6kehf（ m -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2383 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 160 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 60 @ 200ma 、5v 100MHz
SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R 、LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J374 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 4a（ta） 4V 、10V 71mohm @ 3a 、10V 2V @ 100µA 5.9 NC @ 10 V +10V、-20V 280 PF @ 15 V - 1W
RN2909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2909 -
RFQ
 ECAD 9209 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1112act（tpl3） 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1112 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 22 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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