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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-GR （TE85LF -
RFQ
 ECAD 8778 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN2A01 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 800MHz
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R 、LXHF 0.6500
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 60 V 3.5a（ta） 4V 、10V 134mohm @ 1a 、10v 2V @ 1MA 15.1 NC @ 10 V +10V、-20V 660 PF @ 10 V - 1W
2SC5171,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5171、onkq（j -
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5171 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） npn 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2118 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 47 Kohms 10 Kohms
TK50E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E08K3、S1X s -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 - 穴を通して TO-220-3 TK50E08 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 50a（tc） 12mohm @ 25a 、10V - 55 NC @ 10 V - -
2SA1428-O,T2CLAF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O 、T2Claf（m -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1428 900 MW MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-O （TE85L 0.3900
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3325 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 300MHz
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K339 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 2a（ta） 1.8V 、8V 185mohm @ 1a 、8V 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 v ±12V 130 pf @ 10 v - 1W
1SV285TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV285TPH3F 0.0834
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV285 ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 2.35pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2.3 C1/C4 -
SSM3J371R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J371 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 55mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 630 PF @ 10 V - 1W
TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K9A60F 、S4x 0.9000
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK1K9A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 3.7a（ta） 10V 1.9OHM @ 1.9A 、10V 4V @ 400µA 14 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 30W （TC）
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1103ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2562 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1103 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
TPC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8066-H -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8066 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 16mohm @ 5.5a 、10V 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 10 V - 1W
TK35N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W、S1F 7.8600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK35N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 35a（ta） 10V 80mohm @ 17.5a 、10V 3.5V @ 2.1MA 100 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 270W
CMS15I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS15I40A 0.5900
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS15 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 490 mV @ 1.5 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 62pf @ 10V、1MHz
RN2302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2302 、LF 0.0379
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2302 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
2SA1869-Y,MTSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-y、mtsaq（j -
RFQ
 ECAD 6264 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1869 10 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µa（icbo） PNP 600mv @ 200ma 、2a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
CTS05S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S30 、L3f 0.3400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS05S30 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 30 V 340 mV @ 100 Ma 150 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 55pf @ 0V、1MHz
DSF05S30U(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage DSF05S30U -
RFQ
 ECAD 8061 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 DSF05 ショットキー USC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 500 Ma 125°C （最大） 500mA -
2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943N 2.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SA1943 150 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 2SA1943N ear99 8541.29.0075 25 230 v 15 a 5µa（icbo） PNP 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
HN2A01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn2a01fu-y（te85l、f 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2A01 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV 、L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 254 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1103 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 70 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
RN2905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2905fe 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2905 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SK2989(TPE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 -
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2989 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 5a（tj）
SSM3K72KFS,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KFS 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 300ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 150MW
HN1D04FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1d04fute85lf -
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1D04 標準 US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
TK10A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A55D 2.3000
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 10a（ta） 10V 720mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
SSM3K16CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k16ctc、l3f 0.3200
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K16 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 200ma（ta） 1.5V 、4.5V 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 12 pf @ 10 v - 500MW
HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn4b01je（TE85L 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-553 HN4B01 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） npn、pnp （エミッタ結合） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
1SS405,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS405 、H3F 0.2700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS405 ショットキー ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 20 v 550 mV @ 50 mA 500 NA @ 20 V 125°C （最大） 50ma 3.9pf @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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