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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W5 、RVQ 1.5900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK8P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 8a（ta） 10V 560mohm @ 4a 、10V 4.5V @ 400µA 22 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 80W
TK3R1A04PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1A04PL 、S4x 1.2700
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK3R1A04 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 82a（tc） 4.5V 、10V 3.8mohm @ 30a 、4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 NC @ 10 V ±20V 4670 PF @ 20 V - 36W （TC）
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D 2.1600
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 11a（ta） 10V 600mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT、L3F 0.4700
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K56 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 1.4a（ta） 1.5V 、4.5V 235mohm @ 800ma 、4.5V 1V @ 1MA 1 NC @ 4.5 v ±8V 55 PF @ 10 V - 500MW
TK7Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7Q60W、S1VQ 2.1200
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK7Q60 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 7a（ta） 10V 600mohm @ 3.5a 、10V 3.7V @ 350µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 60W （TC）
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R 、LXHF 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1W
2SC2655-Y(T6ND3,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y（t6nd3、af -
RFQ
 ECAD 8423 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1102T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102T5LFT -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1102 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FEYTE85LF 0.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN2C01 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 60MHz
2SC3328-O,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-O -
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC3328 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 80 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SD2257,KEHINQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2257 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1.5MA、1.5a 2000 @ 2a 、2V -
DSR01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SL 、L3F 0.3500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし DSR01S30 ショットキー SL2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 620 mV @ 100 Ma 700 Na @ 30 V 125°C （最大） 100mA 8.2pf @ 0V、1MHz
2SA1428-Y(T2TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-y（t2tr、a f -
RFQ
 ECAD 4372 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1428 900 MW MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SD2206A(T6SEP,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206A -
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2206 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 120 v 2 a - npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V -
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1962fe 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1962 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
TTB1067B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1067b -
RFQ
 ECAD 8529 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTB1067 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250
RN2405,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2405、lf 0.2200
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2405 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1110ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1110 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 4.7 Kohms
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1503 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B 、S1Q 32.4200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TW070J120 sicfet （炭化シリコン） to-3p ダウンロード 1 （無制限） 264-TW070J120BS1Q ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 1200 v 36a（tc） 20V 90mohm @ 18a 、20V 5.8V @ 20MA 67 NC @ 20 V ±25V、 -10V 1680 pf @ 800 v 標準 272W
RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT （TPL3） -
RFQ
 ECAD 4367 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2102 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 10 Kohms 10 Kohms
SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615TU 、LF 0.5200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K2615 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 2a（ta） 3.3V 、10V 300mohm @ 1a 、10V 2V @ 1MA 6 NC @ 10 V ±20V 150 pf @ 10 V - 800MW
TK10E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W、S1x 3.6500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 9.5a（ta） 10V 550mohm @ 4.8a 、10V 4V @ 450µA 19 NC @ 10 V ±20V 1150 pf @ 300 v - 130W
TK6A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65W、S5x 1.7300
RFQ
 ECAD 4293 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 5.8a（ta） 10V 1OHM @ 2.9A 、10V 3.5V @ 180µA 11 NC @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 v - 30W （TC）
2SC2235-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y（t6fjt af -
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n15afe、lm 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6N15 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 100mA 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA - 13.5pf @ 3V ロジックレベルゲート
HN2D01FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01FTE85LF 0.4700
RFQ
 ECAD 201 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 HN2D01 標準 SC-74 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 80 v 80ma 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM、L1Q 1.7000
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2R408 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 120a（tc） 6V 、10V 2.43mohm @ 50a 、10V 3.5V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 8300 PF @ 40 V - 3W （TA）、210W（TC）
CMS01(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS01 -
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-128 CMS01 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 3 a 5 ma @ 30 v -40°C〜125°C 3a -
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1 -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK40P04 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 40a（ta） 4.5V 、10V 11mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 200µA 29 NC @ 10 V ±20V 1920 pf @ 10 v - 47W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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