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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B 、S1Q 32.4200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TW070J120 sicfet （炭化シリコン） to-3p ダウンロード 1 （無制限） 264-TW070J120BS1Q ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 1200 v 36a（tc） 20V 90mohm @ 18a 、20V 5.8V @ 20MA 67 NC @ 20 V ±25V、 -10V 1680 pf @ 800 v 標準 272W
RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT （TPL3） -
RFQ
 ECAD 4367 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2102 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 10 Kohms 10 Kohms
2SC2235-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y（t6fjt af -
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
TK6A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65W、S5x 1.7300
RFQ
 ECAD 4293 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 5.8a（ta） 10V 1OHM @ 2.9A 、10V 3.5V @ 180µA 11 NC @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 v - 30W （TC）
SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615TU 、LF 0.5200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K2615 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 2a（ta） 3.3V 、10V 300mohm @ 1a 、10V 2V @ 1MA 6 NC @ 10 V ±20V 150 pf @ 10 V - 800MW
RN2418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2418 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 10 Kohms
SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P69NU 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6P69 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 4a（ta） 45mohm @ 3.5a 、10V 1.2V @ 1MA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AFS 、LF 0.2600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3J35 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 250ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.4OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA ±10V 42 pf @ 10 v - 150MW
RN1313,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1313 lf 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1313 100 MW USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S06K3L -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK20S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 20a（ta） 6V 、10V 29mohm @ 10a 、10V 3V @ 1MA 18 NC @ 10 V ±20V 780 PF @ 10 V - 38W
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU 、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N44 モスフェット（金属酸化物） 200MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 100ma（ta） 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA - 8.5pf @ 3V -
RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1708 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1708 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
TW045N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW045N120C、S1F 23.7100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 40a（tc） 18V 59mohm @ 20a、18V 5V @ 6.7MA 57 NC @ 18 V +25V、-10V 1969 PF @ 800 v - 182W
RN2401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2401 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK55S10N1,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1、LXHQ 1.6800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK55S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 55a（ta） 10V 6.5mohm @ 27.5a 、10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 V ±20V 3280 PF @ 10 V - 157W
SSM6J50TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J50TU 、LF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J50 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 2.5a（ta） 2V 、4.5V 64mohm @ 1.5a 、4.5V 1.2V @ 200µA ±10V 800 PF @ 10 V - 500MW
TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65D 2.2100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 7a（ta） 10V 980mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1901fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1901 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L 、LXHQ 0.9700
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK11S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 11a（ta） 4.5V 、10V 28mohm @ 5.5a 、10V 2.5V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 850 PF @ 10 V - 65W
XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC 、L1XHQ 1.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN12006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 20a 4.5V 、10V 12mohm @ 10a 、10V 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 10 V 65W
TK3A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3A90E、S4x 1.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TK3A90ES4X ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 2.5a（ta） 10V 4.6OHM @ 1.3A 、10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 35W （TC）
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM 0.6800
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN19008 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 80 v 34a（tc） 6V 、10V 19mohm @ 17a 、10V 3.5V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 40 v - 630MW
TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH 、L1Q 0.9241
RFQ
 ECAD 9919 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R606 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 32a（ta） 6.5V 、10V 4.6mohm @ 16a 、10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 V ±20V 3965 PF @ 30 V - 1.6W
2SJ305TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ305TE85LF 0.5400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SJ305 モスフェット（金属酸化物） SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 200ma（ta） 2.5V 4OHM @ 50MA 、2.5V - ±20V 92 PF @ 3 V - 200MW
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L61NU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6L61 モスフェット（金属酸化物） - 6-udfn （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 4a - - - - -
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL 、S1x 1.4400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK3R1E04 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 100a（tc） 4.5V 、10V 3.8mohm @ 30a 、4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 NC @ 10 V ±20V 4670 PF @ 20 V - 87W
TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5200FNH 、L1Q 2.9500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH5200 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 26a（tc） 10V 52mohm @ 13a 、10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 100 V - 78W （TC）
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 lf 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1417 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R 、LXHF 0.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J808 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 7a（ta） 4V 、10V 35mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V、-20V 1020 PF @ 10 V - 1.5W
RN2902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2902fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2902 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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