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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
CRS09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09 0.5000
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS09 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 460 mV @ 1.5 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1.5a 90pf @ 10V、1MHz
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W、S4x 3.1200
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 11.5a（ta） 10V 450mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 570µA 23 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 300 v - 45W
SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6G18 モスフェット（金属酸化物） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 112mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v ショットキーダイオード（分離） 1W
TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L 、LXHQ 0.9500
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ8S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 8a（ta） 6V 、10V 104mohm @ 4a 、10V 3V @ 1MA 19 NC @ 10 V +10V、-20V 890 PF @ 10 V - 27W （TC）
RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1104 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2302 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2302 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN4985,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4985 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 2.2kohms 47kohms
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357R 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K357 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 650ma（ta） 3V、5V 1.8OHM @ 150MA 、5V 2V @ 1MA 1.5 NC @ 5 V ±12V 60 pf @ 12 v - 1W
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3 、S4Q -
RFQ
 ECAD 3753 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TJ9A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 100 V 9a（ta） 10V 170mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 1MA 47 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 19W （TC）
RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1708 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1708 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU 、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N44 モスフェット（金属酸化物） 200MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 100ma（ta） 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA - 8.5pf @ 3V -
TW045N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW045N120C、S1F 23.7100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 40a（tc） 18V 59mohm @ 20a、18V 5V @ 6.7MA 57 NC @ 18 V +25V、-10V 1969 PF @ 800 v - 182W
RN2401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2401 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK7A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A50D 1.5000
RFQ
 ECAD 9633 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 7a（ta） 10V 1.22OHM @ 3.5a 、10V 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK5A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A53D 1.3700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A53 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 525 v 5a（ta） 10V 1.5OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK7R7P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7R7P10PL 、RQ 1.0700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK7R7P10 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 100 V 55a（tc） 4.5V 、10V 7.7mohm @ 27.5a 、10V 2.5V @ 500µA 44 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 50 V - 93W
RN1313,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1313 lf 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1313 100 MW USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S06K3L -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK20S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 20a（ta） 6V 、10V 29mohm @ 10a 、10V 3V @ 1MA 18 NC @ 10 V ±20V 780 PF @ 10 V - 38W
RN2418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2418 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 10 Kohms
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133 -
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） GT8G133 標準 600 MW 8-tssop ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 - - 400 V 150 a 2.9V @ 4V 、150a - 1.7µs/2µs
SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P69NU 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6P69 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 4a（ta） 45mohm @ 3.5a 、10V 1.2V @ 1MA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AFS 、LF 0.2600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3J35 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 250ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.4OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA ±10V 42 pf @ 10 v - 150MW
RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6080 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1305 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J135TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J135 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 3a（ta） 1.5V 、4.5V 103mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v - 500MW
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6L35 モスフェット（金属酸化物） 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 180ma 、100mA 3OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA - 9.5pf @ 3V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1301 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H、S1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS2E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 2 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C 2a 135pf @ 1V、1MHz
TK430A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK430A60F、S4X s -
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix バルク アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 13a（ta） 10V 430mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 1.75MA 48 NC @ 10 V ±30V 1940 pf @ 300 v - 45W
RN2416,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2416、lf 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2416 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
HN4D01JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn4d01ju 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 HN4D01 標準 5スソップ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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