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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN4981FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4981fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4981 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 4.7kohms
TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PB、L1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R204 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 6V 、10V 1.2mohm @ 50a 、10V 3V @ 500µA 62 NC @ 10 V ±20V 5855 PF @ 20 V - 960MW
RN2416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2416 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H、S1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS2E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 2 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C 2a 135pf @ 1V、1MHz
TK430A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK430A60F、S4X s -
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix バルク アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 13a（ta） 10V 430mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 1.75MA 48 NC @ 10 V ±30V 1940 pf @ 300 v - 45W
SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17FU 、LF 0.3300
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3K17 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 50 v 100ma（ta） 2.5V 、4V 20OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 1µA ±7V 7 pf @ 3 v - 150MW
RN1112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1112 0.0624
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1112 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1703je 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1703 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
TRS4E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65H、S1Q 1.8500
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS4E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 4 a 0 ns 55 µA @ 650 v 175°C 4a 263pf @ 1V、1MHz
RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2305 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 55mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 630 PF @ 10 V - 1W
2SA1586-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW USM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866 -
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2SK2866 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 10a（ta） 10V 750mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2040 PF @ 10 V - 125W
SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36MFV 、L3F 0.4000
RFQ
 ECAD 358 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K36 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 500ma（ta） 1.5V 、5V 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23 NC @ 4 V ±10V 46 PF @ 10 V - 150MW
TK065Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK065Z65Z、S1F 7.8900
RFQ
 ECAD 4529 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-4 モスフェット（金属酸化物） TO-247-4L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 650 V 38a（ta） 10V 65mohm @ 19a 、10V 4V @ 1.69ma 62 NC @ 10 V ±30V 3650 pf @ 300 v - 270W
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J356 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 60 V 2a（ta） 4V 、10V 300mohm @ 1a 、10V 2V @ 1MA 8.3 NC @ 10 V +10V、-20V 330 PF @ 10 V - 1W
RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4910fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4910 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 4.7kohms -
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TTA1713 200 MW s-mini ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 400mv @ 50ma 、500ma 180 @ 100MA、1V 80MHz
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn2a01fe-y-te85l、f -
RFQ
 ECAD 4533 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN2A01 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4985fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4985 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 2.2kohms 47kohms
TK4A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A53D -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A53 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 525 v 4a（ta） 10V 1.7OHM @ 2A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 35W （TC）
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1102mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1102 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 10 Kohms 10 Kohms
CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40 、L3F 0.4800
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 0402 （1006メトリック） CLS10F40 ショットキー CL2E - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 40 v 570 mV @ 1 a 25 µA @ 40 V 150°C 1a 130pf @ 0V、1MHz
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8006-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 1620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 22a（ta） 4.5V 、10V 8mohm @ 11a 、10v 2.3V @ 200µA 27 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 10 V - 700MW
1SS417CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417CT 、L3F 0.3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード 1SS417 ショットキー FSC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 620 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 15pf @ 0V、1MHz
CRG09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG09 -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG09 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） crg09（TE85LQM ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111 -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8111 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 11a（ta） 4V 、10V 12mohm @ 5.5a 、10V 2V @ 1MA 107 NC @ 10 V ±20V 5710 pf @ 10 v - 1W
TK8P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W、RQ 1.9100
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 7.8a（ta） 10V 670mohm @ 3.9a 、10V 3.5V @ 300µA 16 NC @ 10 V ±30V 570 PF @ 300 V - 80W
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL 、L1Q 1.1500
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH6R30 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 66a（タタ）、45a（tc） 4.5V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 50 V - 2.5W
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz47 -
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ47 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） CRZ47TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 37.6 v 47 v 65オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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