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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2110ct -
RFQ
 ECAD 1745 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2110 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 4.7 Kohms
RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103ACT -
RFQ
 ECAD 8929 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1103 100 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
RN1116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1116 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 710 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K318 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 2.5a（ta） 4.5V 、10V 107mohm @ 2a 、10V 2.8V @ 1MA 7 NC @ 10 V ±20V 235 PF @ 30 V - 1W
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1 -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 - 表面マウント to-252-3 TK45P03 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 45a（ta） 4.5V 、10V 9.7mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 1500 PF @ 10 V - -
2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-GR 、L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SA2154 100 MW CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2317 0.2800
RFQ
 ECAD 962 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2317 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
2SA1668 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1668 -
RFQ
 ECAD 4425 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ 2SA166 - ROHS準拠 1 （無制限） 2SA1668TS 0000.00.0000 50
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 -
RFQ
 ECAD 9334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2257 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1.5MA、1.5a 2000 @ 2a 、2V -
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 500 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
SSM3K7002KF,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 270MW
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906 lm 0.1800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TMBT3906 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2711 200mw 5スソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 400 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFV-Y 、L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 2SC6026 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 60MHz
2SA1930,CKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1905fe 0.2700
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1905 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y（t6canofm -
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2655YT6CANOFM ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2966fe -
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2966 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN2113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113ACT （TPL3 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2113 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 47 Kohms
RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4903fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4903 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 22kohms
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H （TE85L 、FM -
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6008 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 5.9a（ta） 4.5V 、10V 60mohm @ 3a 、10V 2.3V @ 100µA 4.8 NC @ 10 V ±20V 300 pf @ 10 V - 700MW
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2965fe -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2965 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SA1680(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680 -
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1680 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 120 @ 100MA 、2V 100MHz
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2907 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y、T6KEHF （M -
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC5201,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2314 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2314 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404TE85LF -
RFQ
 ECAD 6084 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2404 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2109 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002CFU 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3K7002 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 170ma（ta） 4.5V 、10V 3.9OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.35 NC @ 4.5 V ±20V 17 pf @ 10 v - 150MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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