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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN1901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1901 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 1kohms
SSM6J50TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J50TU 、LF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J50 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 2.5a（ta） 2V 、4.5V 64mohm @ 1.5a 、4.5V 1.2V @ 200µA ±10V 800 PF @ 10 V - 500MW
TK55S10N1,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1、LXHQ 1.6800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK55S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 55a（ta） 10V 6.5mohm @ 27.5a 、10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 V ±20V 3280 PF @ 10 V - 157W
TJ50S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L 、LXHQ 1.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ50S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 50a（ta） 6V 、10V 13.8mohm @ 25a 、10V 3V @ 1MA 124 NC @ 10 V +10V、-20V 6290 PF @ 10 V - 90W
TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65D 2.2100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 7a（ta） 10V 980mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
TK3A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3A90E、S4x 1.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TK3A90ES4X ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 2.5a（ta） 10V 4.6OHM @ 1.3A 、10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 35W （TC）
SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R 、LXHF 0.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J808 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 7a（ta） 4V 、10V 35mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V、-20V 1020 PF @ 10 V - 1.5W
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L 、LXHQ 0.9700
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK11S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 11a（ta） 4.5V 、10V 28mohm @ 5.5a 、10V 2.5V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 850 PF @ 10 V - 65W
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL 、S1x 1.4400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK3R1E04 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 100a（tc） 4.5V 、10V 3.8mohm @ 30a 、4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 NC @ 10 V ±20V 4670 PF @ 20 V - 87W
TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5200FNH 、L1Q 2.9500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH5200 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 26a（tc） 10V 52mohm @ 13a 、10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 100 V - 78W （TC）
RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1901fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1901 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L61NU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6L61 モスフェット（金属酸化物） - 6-udfn （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 4a - - - - -
XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC 、L1XHQ 1.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN12006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 20a 4.5V 、10V 12mohm @ 10a 、10V 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 10 V 65W
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 lf 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1417 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB 、L1XHQ 2.3200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 70a 6V 、10V 4.1mohm @ 35a 、10V 3.5V @ 1MA 75 NC @ 10 V ±20V 4970 PF @ 10 V 標準 170W
RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1102 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN2902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2902fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2902 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
TK13A50DA(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50DA 2.7100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK13A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 12.5a（ta） 10V 470mohm @ 6.3a 、10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V ±30V 1550 PF @ 25 V - 45W
RN2112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112 0.0624
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2112 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 22 Kohms
TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH 、L1Q 0.9241
RFQ
 ECAD 9919 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R606 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 32a（ta） 6.5V 、10V 4.6mohm @ 16a 、10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 V ±20V 3965 PF @ 30 V - 1.6W
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM 0.6800
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN19008 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 80 v 34a（tc） 6V 、10V 19mohm @ 17a 、10V 3.5V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 40 v - 630MW
2SK2962(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 （T6CANO、a f -
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2962 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 1a（tj）
TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W 、RVQ 1.8600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK5P60 モスフェット（金属酸化物） dpak - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 5.4a（ta） 10V 900mohm @ 2.7a 、10V 3.7V @ 270µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W （TC）
2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-GR 、LF 0.3200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1182 150 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 100MA、1V 200MHz
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L40 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 1.6a 122mohm @ 1a、10v 2.6V @ 1MA 、2V @ 1MA 5.1NC @ 10V、2.9NC @ 10V 180pf @ 15V 、120pf @ 15V ロジックレベルゲート、4Vドライブ
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU （TE85L） 0.4000
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J118 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 1.4a（ta） 4V 、10V 240mohm @ 650ma 、10V - ±20V 137 PF @ 15 V - 500MW
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1702je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1702 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306P1 、L1Q 2.4900
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R306 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 100a（tc） 4.5V 、10V 1.28mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 30 V - 960MW
TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL 、L1Q 2.0600
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR6503 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 0.65mohm @ 50a 、10V 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 15 V - 960MW
RN2417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2417 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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