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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 MT3S111 700mw s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12db 6V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 11.5GHz 1.2DB @ 1GHz
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 47kohms 22kohms
TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R906NH l1q 1.7200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH5R906 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 28a（ta） 10V 5.9mohm @ 14a 、10V 4V @ 300µA 38 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 30 V - 1.6W
1SS300,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS300、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS300 標準 USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTA144 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 88 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4906fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4906 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 47kohms
RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN46A1 -
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-74、SOT-457 RN46A1 300MW SM6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v / 50 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22KOHMS 、10kohms 22KOHMS 、10kohms
RN2413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413 0.0309
RFQ
 ECAD 2205 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 264-RN2413 3,000
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU 、LF 0.5400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K116 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 2.2a（ta） 2.5V 、4.5V 100mohm @ 500ma 、4.5v 1.1V @ 100µA ±12V 245 pf @ 10 v - 500MW
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5P15 モスフェット（金属酸化物） 200MW USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 100ma（ta） 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V -
1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403、H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1SS403 標準 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6P49 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-udfn （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 4a 45mohm @ 3.5a 、10V 1.2V @ 1MA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V ロジックレベルゲート
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT 、L3f 0.3200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K16 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 100MW
CUHS15F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15f60、H3f 0.4900
RFQ
 ECAD 9628 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 730 mV @ 1.5 a 50 µA @ 60 V 150°C 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
CUS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus05 -
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05 ショットキー us-flat（1.25x2.5） - ROHS準拠 cus05（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 20 v 370 mV @ 700 Ma 1 mA @ 20 v -40°C〜125°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU 、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J511 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 14a（ta） 9.1mohm @ 4a 、8v 1V @ 1MA 47 NC @ 4.5 v 3350 PF @ 6 V -
TK380P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P60Y 、RQ 1.6900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK380P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 9.7a（tc） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 360µA 20 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 30W （TC）
RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2304 （TE85L -
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2304 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4911fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4911 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 10kohms -
TK8R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2E06PL 、S1x 1.2000
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 50a（tc） 4.5V 、10V 8.2mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 300µA 28 NC @ 10 V ±20V 1990 pf @ 30 v - 81W
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TTA1713 200 MW s-mini ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 400mv @ 50ma 、500ma 180 @ 100MA、1V 80MHz
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J356 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 60 V 2a（ta） 4V 、10V 300mohm @ 1a 、10V 2V @ 1MA 8.3 NC @ 10 V +10V、-20V 330 PF @ 10 V - 1W
RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4910fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4910 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 、250MHz 4.7kohms -
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn2a01fe-y-te85l、f -
RFQ
 ECAD 4533 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN2A01 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TK6Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W、S1VQ 1.9900
RFQ
 ECAD 8673 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK6Q60 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 6.2a（ta） 10V 820mohm @ 3.1a 、10V 3.7V @ 310µA 12 NC @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 v - 60W （TC）
XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN6R706NC 、L1XHQ 1.4200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN6R706 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 40a（ta） 4.5V 、10V 6.7mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 V ±20V 2000 PF @ 10 V - 840MW
SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-smd（5 リード）、フラットリード SSM5H08 モスフェット（金属酸化物） UFV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 1.5a（ta） 2.5V 、4V 160mohm @ 750ma 、4V 1.1V @ 100µA ±12V 125 pf @ 10 v ショットキーダイオード（分離） 500MW
U20DL2C48A(TE24L,Q Toshiba Semiconductor and Storage U20DL2C48A -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-263-3 u20dl2 標準 TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 20a 980 mV @ 10 a 35 ns 50 µA @ 200 V -
SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J132TU 、LF 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J132 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 12 v 5.4a（ta） 1.2V 、4.5V 17mohm @ 5a 、4.5V 1V @ 1MA 33 NC @ 4.5 v ±6V 2700 PF @ 10 V - 500MW
SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FU 、LF 0.2500
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3J15 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 150MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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