SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8006-H (TE12LQM -
RFQ
ECAD 1620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8006 モスフェット(金属酸化物) 8-TSON ADVANCE (3.3x3.3) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 22a(ta) 4.5V 、10V 8mohm @ 11a 、10v 2.3V @ 200µA 27 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 10 V - 700MW
CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40 、L3F 0.4800
RFQ
ECAD 93 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 0402 (1006メトリック) CLS10F40 ショットキー CL2E - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 40 v 570 mV @ 1 a 25 µA @ 40 V 150°C 1a 130pf @ 0V、1MHz
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL 、L1Q 1.1500
RFQ
ECAD 7068 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH6R30 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 66a(タタ)、45a(tc) 4.5V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 50 V - 2.5W
CRG09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG09 -
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-123F CRG09 標準 s-flat(1.6x3.5) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) crg09(TE85LQM ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111 -
RFQ
ECAD 7612 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント 8-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) TPC8111 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップ(5.5x6.0 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 11a(ta) 4V 、10V 12mohm @ 5.5a 、10V 2V @ 1MA 107 NC @ 10 V ±20V 5710 pf @ 10 v - 1W
TK8P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W、RQ 1.9100
RFQ
ECAD 8048 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 7.8a(ta) 10V 670mohm @ 3.9a 、10V 3.5V @ 300µA 16 NC @ 10 V ±30V 570 PF @ 300 V - 80W
TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H 、LQ 2.7700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド sic (炭化シリコン)ショットキー 4-dfn-ep(8x8) - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 8 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C 8a 520pf @ 1V、1MHz
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8067-H -
RFQ
ECAD 6291 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8067 モスフェット(金属酸化物) 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 9a(ta) 4.5V 、10V 25mohm @ 4.5a 、10V 2.3V @ 100µA 9.5 NC @ 10 V ±20V 690 PF @ 10 V - 700MW
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz47 -
RFQ
ECAD 3679 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 ±10% -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ47 700 MW s-flat(1.6x3.5) ダウンロード 1 (無制限) CRZ47TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 37.6 v 47 v 65オーム
RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909fe 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1909 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4E08QM、S1x 3.1800
RFQ
ECAD 196 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 120a(tc) 6V 、10V 2.44mohm @ 50a 、10V 3.5V @ 2.2MA 178 NC @ 10 V ±20V 13000 pf @ 40 V - 300W (TC)
TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R506PL 、LQ 0.8300
RFQ
ECAD 112 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH9R506 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 34a(tc) 4.5V 、10V 9.5mohm @ 17a 、10V 2.5V @ 200µA 21 NC @ 10 V ±20V 1910 pf @ 30 v - 830MW
RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV 0.1800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2101 150 MW vesm ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH 、L1Q 1.0200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 8-POWERVDFN TPN7R506 モスフェット(金属酸化物) 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 26a(tc) 6.5V 、10V 7.5mohm @ 13a 、10V 4V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 30 v - 700MW
RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV 、L3F 0.2400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1102 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 10 Kohms 10 Kohms
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01 -
RFQ
ECAD 1987年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8A01 モスフェット(金属酸化物) vs-8(2.9x1.5 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 nチャネル 20 v 3a(ta) 2V 、4.5V 49mohm @ 1.5a 、4.5V 1.2V @ 200µA 7.5 NC @ 5 V ±12V 590 PF @ 10 V ショットキーダイオード(分離) 330MW
TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC015B、Q 0.6600
RFQ
ECAD 5712 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.5 w 〜126n ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 250 80 v 2 a 100na(icbo) npn 500MV @ 100MA、1a 100 @ 500MA 、2V 150MHz
TK65S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L 、LXHQ 1.2300
RFQ
ECAD 5169 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK65S04 モスフェット(金属酸化物) DPAK+ ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 65a(ta) 4.5V 、10V 4.3mohm @ 32.5a 、10V 2.5V @ 300µA 39 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 10 V - 107W (TC)
RN1964TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1964TE85LF 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1964 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R 、LXHF 0.5800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L820 モスフェット(金属酸化物) 1.4W 6-tsop-f ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 、20V 4a(ta) 39.1mohm @ 2a 、4.5v 、45mohm @ 3.5a 、10v 1V @ 1MA 、1.2V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V、6.7NC @ 4.5V 310pf @ 15V 、480pf @ 10V -
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5、S1VQ 12.2700
RFQ
ECAD 3287 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK39J60 モスフェット(金属酸化物) to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 38.8a 10V 65mohm @ 19.4a 、10V 3.7V @ 1.9ma 135 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 270W
RN2426(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2426 0.4000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2426 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na pnp-前バイアス 250mv @ 1ma 、50ma 90 @ 100MA、1V 200 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D -
RFQ
ECAD 7254 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A60 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TK6A60DSTA4QM ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 6a(ta) 10V 1.25OHM @ 3A 、10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 800 PF @ 25 V - 40W (TC)
RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4907fe 0.2700
RFQ
ECAD 6817 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4907 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 47kohms
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2963 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
TPC6111(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6111 -
RFQ
ECAD 3219 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6111 モスフェット(金属酸化物) vs-6(2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a(ta) 1.5V 、4.5V 40mohm @ 2.8a 、4.5V 1V @ 1MA 10 NC @ 5 V ±8V 700 pf @ 10 V - 700MW
TK16A60W5,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W5、S4VX 2.9700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A60 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 1.5MA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 40W (TC)
2SA1586-Y(T5LND,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-y(t5lnd -
RFQ
ECAD 5318 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 125°C (TJ) 表面マウント SC-70、SOT-323 100 MW SC-70 ダウンロード 1 (無制限) 264-2SA1586-Y ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114Y 、LM 0.1800
RFQ
ECAD 8079 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTA114 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 90 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c03fu-b、lf 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C03 200mw US6 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100na(icbo) 2 NPN (デュアル) 100MV @ 3MA 、30A 350 @ 4MA 、2V 30MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫