画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TPCC8006-H (TE12LQM | - | ![]() | 1620 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi-h | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | TPCC8006 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE (3.3x3.3) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 22a(ta) | 4.5V 、10V | 8mohm @ 11a 、10v | 2.3V @ 200µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 10 V | - | 700MW | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CLS10F40 、L3F | 0.4800 | ![]() | 93 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | CLS10F40 | ショットキー | CL2E | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 570 mV @ 1 a | 25 µA @ 40 V | 150°C | 1a | 130pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPH6R30ANL 、L1Q | 1.1500 | ![]() | 7068 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPH6R30 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 100 V | 66a(タタ)、45a(tc) | 4.5V 、10V | 6.3mohm @ 22.5a 、10V | 2.5V @ 500µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 4300 PF @ 50 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CRG09 | - | ![]() | 9954 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOD-123F | CRG09 | 標準 | s-flat(1.6x3.5) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | crg09(TE85LQM | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 700 Ma | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPC8111 | - | ![]() | 7612 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) | TPC8111 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップ(5.5x6.0 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 11a(ta) | 4V 、10V | 12mohm @ 5.5a 、10V | 2V @ 1MA | 107 NC @ 10 V | ±20V | 5710 pf @ 10 v | - | 1W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TK8P65W、RQ | 1.9100 | ![]() | 8048 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 650 V | 7.8a(ta) | 10V | 670mohm @ 3.9a 、10V | 3.5V @ 300µA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 570 PF @ 300 V | - | 80W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TRS8V65H 、LQ | 2.7700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | sic (炭化シリコン)ショットキー | 4-dfn-ep(8x8) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.35 V @ 8 a | 0 ns | 90 µA @ 650 v | 175°C | 8a | 520pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCC8067-H | - | ![]() | 6291 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii-h | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPCC8067 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 9a(ta) | 4.5V 、10V | 25mohm @ 4.5a 、10V | 2.3V @ 100µA | 9.5 NC @ 10 V | ±20V | 690 PF @ 10 V | - | 700MW | ||||||||||||||||||||||||
crz47 | - | ![]() | 3679 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -40°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | CRZ47 | 700 MW | s-flat(1.6x3.5) | ダウンロード | 1 (無制限) | CRZ47TR-NDR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA @ 37.6 v | 47 v | 65オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1909fe | 0.3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN1909 | 100MW | ES6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 250MHz | 47kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK2R4E08QM、S1x | 3.1800 | ![]() | 196 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosx-h | チューブ | アクティブ | 175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 80 v | 120a(tc) | 6V 、10V | 2.44mohm @ 50a 、10V | 3.5V @ 2.2MA | 178 NC @ 10 V | ±20V | 13000 pf @ 40 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TPH9R506PL 、LQ | 0.8300 | ![]() | 112 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosix-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPH9R506 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 34a(tc) | 4.5V 、10V | 9.5mohm @ 17a 、10V | 2.5V @ 200µA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 1910 pf @ 30 v | - | 830MW | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2101MFV | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN2101 | 150 MW | vesm | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300mv @ 500µa 、5ma | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPN7R506NH 、L1Q | 1.0200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPN7R506 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 26a(tc) | 6.5V 、10V | 7.5mohm @ 13a 、10V | 4V @ 200µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1800 pf @ 30 v | - | 700MW | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1102MFV 、L3F | 0.2400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN1102 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300mv @ 500µa 、5ma | 50 @ 10ma 、5v | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCF8A01 | - | ![]() | 1987年年 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosiii | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | TPCF8A01 | モスフェット(金属酸化物) | vs-8(2.9x1.5 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | nチャネル | 20 v | 3a(ta) | 2V 、4.5V | 49mohm @ 1.5a 、4.5V | 1.2V @ 200µA | 7.5 NC @ 5 V | ±12V | 590 PF @ 10 V | ショットキーダイオード(分離) | 330MW | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TTC015B、Q | 0.6600 | ![]() | 5712 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | トレイ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 1.5 w | 〜126n | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 80 v | 2 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 100MA、1a | 100 @ 500MA 、2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK65S04N1L 、LXHQ | 1.2300 | ![]() | 5169 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | to-252-3 | TK65S04 | モスフェット(金属酸化物) | DPAK+ | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 40 v | 65a(ta) | 4.5V 、10V | 4.3mohm @ 32.5a 、10V | 2.5V @ 300µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 2550 PF @ 10 V | - | 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1964TE85LF | 0.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN1964 | 200mw | US6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250MHz | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||
SSM6L820R 、LXHF | 0.5800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | SSM6L820 | モスフェット(金属酸化物) | 1.4W | 6-tsop-f | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 30V 、20V | 4a(ta) | 39.1mohm @ 2a 、4.5v 、45mohm @ 3.5a 、10v | 1V @ 1MA 、1.2V @ 1MA | 3.2NC @ 4.5V、6.7NC @ 4.5V | 310pf @ 15V 、480pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK39J60W5、S1VQ | 12.2700 | ![]() | 3287 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | TK39J60 | モスフェット(金属酸化物) | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | nチャネル | 600 V | 38.8a | 10V | 65mohm @ 19.4a 、10V | 3.7V @ 1.9ma | 135 NC @ 10 V | ±30V | 4100 pf @ 300 v | - | 270W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2426 | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | RN2426 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 800 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 250mv @ 1ma 、50ma | 90 @ 100MA、1V | 200 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK6A60D | - | ![]() | 7254 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK6A60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | TK6A60DSTA4QM | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 6a(ta) | 10V | 1.25OHM @ 3A 、10V | 4V @ 1MA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 800 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | rn4907fe | 0.2700 | ![]() | 6817 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN4907 | 100MW | ES6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250MHz 、200MHz | 10kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2963 | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN2963 | 200mw | US6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 200MHz | 22kohms | 22kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPC6111 | - | ![]() | 3219 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosv | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | TPC6111 | モスフェット(金属酸化物) | vs-6(2.9x2.8 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 5.5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 40mohm @ 2.8a 、4.5V | 1V @ 1MA | 10 NC @ 5 V | ±8V | 700 pf @ 10 V | - | 700MW | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TK16A60W5、S4VX | 2.9700 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK16A60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 15.8a | 10V | 190mohm @ 7.9a 、10V | 3.7V @ 1.5MA | 43 NC @ 10 V | ±30V | 1350 pf @ 300 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1586-y(t5lnd | - | ![]() | 5318 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | 1 (無制限) | 264-2SA1586-Y | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | PNP | 300MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 2MA 、6V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDTA114Y 、LM | 0.1800 | ![]() | 8079 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | TDTA114 | 320 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 90 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | hn1c03fu-b、lf | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | HN1C03 | 200mw | US6 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 20V | 300mA | 100na(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 100MV @ 3MA 、30A | 350 @ 4MA 、2V | 30MHz |
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