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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1905 0.3400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1905 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L -
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK10S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 10a（ta） 6V 、10V 28mohm @ 5a 、10V 3V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 410 pf @ 10 v - 25W （TC）
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1904 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 0.4700
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1611 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1904fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1904 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01fu-y、lf 0.2600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C01 200mw US6 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1107 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L 1.2600
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TJ80S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 80a（ta） 6V 、10V 5.2mohm @ 40a 、10V 3V @ 1MA 158 NC @ 10 V +10V、-20V 7770 PF @ 10 V - 100W （TC）
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK18A50D 3.5200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK18A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 18a（ta） 10V 270mohm @ 9a、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 50W （TC）
TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z、LXHQ 0.8900
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK7S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 7a（ta） 10V 48mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 100µA 7.1 NC @ 10 V ±20V 470 PF @ 10 V - 50W （TC）
RN2902FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn2902fe （t5l -
RFQ
 ECAD 3710 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2902 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
CRS09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09 0.5000
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS09 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 460 mV @ 1.5 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1.5a 90pf @ 10V、1MHz
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W、S4x 3.1200
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 11.5a（ta） 10V 450mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 570µA 23 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 300 v - 45W
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H -
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8066 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 15mohm @ 5.5a 、10V 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 10 V - 700MW
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2310 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 4.7 Kohms
TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L 、LXHQ 0.9500
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ8S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 8a（ta） 6V 、10V 104mohm @ 4a 、10V 3V @ 1MA 19 NC @ 10 V +10V、-20V 890 PF @ 10 V - 27W （TC）
TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK4P50 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK4P50DT6RSSQ ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 4a（ta） 10V 2OHM @ 2A 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 80W
RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1104 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R005PL 、L1Q 3.0300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERWDFN TPW1R005 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 45 v 300a（tc） 4.5V 、10V 2.4V @ 1MA 122 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 22.5 v - 960MW
RN2302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2302 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2302 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN4985,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4985 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 2.2kohms 47kohms
2SD1407A-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1407A-Y -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD1407 30 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 100 V 5 a 100µa（icbo） npn 2V @ 400MA 、4a 120 @ 1a 、5V 12MHz
SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K301T （TE85L -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K301 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 3.5a（ta） 1.8V 、4V 56mohm @ 2a 、4V - 4.8 NC @ 4 V ±12V 320 pf @ 10 V - 700MW
TPCA8064-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8064-H -
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8064 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 8.2mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 10 v - 1.6W
SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J422 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 42.7mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1W
TW060N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060N120C、S1F 19.8400
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 36a（tc） 18V 78mohm @ 18a、18V 5V @ 4.2MA 46 NC @ 18 V +25V、-10V 1530 pf @ 800 v - 170W
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2103mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2103 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
TK19A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK19A50W、S5x 2.7800
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 18.5a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 40W （TC）
SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE 、LM 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6p36 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 330ma 1.31OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA 1.2NC @ 4V 43pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN1313,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1313 lxhf 0.3900
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1313 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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