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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TW060N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060N120C、S1F 19.8400
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 36a（tc） 18V 78mohm @ 18a、18V 5V @ 4.2MA 46 NC @ 18 V +25V、-10V 1530 pf @ 800 v - 170W
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2103mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2103 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
CLH02(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh02 （TE16R、 Q） -
RFQ
 ECAD 2543 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH02 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 300 V 1.3 V @ 3 a 35 ns 10 µA @ 300 V -40°C〜150°C 3a -
TK5A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A80E、S4x 1.4300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 5a（ta） 10V 2.4OHM @ 2.5A 、10V 4V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 950 PF @ 25 V - 40W （TC）
RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4608 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4608 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
TPH2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R903PL 、L1Q 0.9400
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 70a 4.5V 、10V 2.9mohm @ 35a 、10V 2.1V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 15 V - 960MW
RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906 -
RFQ
 ECAD 4115 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2906 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
TW083N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083N65C、S1F 12.7900
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 30a（tc） 18V 113mohm @ 15a、18V 5V @ 600µA 28 NC @ 18 V +25V、-10V 873 PF @ 400 v - 111W
2SC6135,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6135 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード 2SC6135 500 MW UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 1 a 100na（icbo） npn 120MV @ 6MA、300MA 400 @ 100MA 、2V -
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT （TPL3 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2105 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 2.2 KOHMS 47 Kohms
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn1c03fu-a（te85l、f 0.4400
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C03 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30MHz
RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906fe 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2906 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
2SC2235-Y,T6ASHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y、t6ashf（j -
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN4905T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905T5LFT 0.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4905 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
CMZ24(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ24 0.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ24 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 17 V 24 v 30オーム
2SC4881(CANO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881 -
RFQ
 ECAD 8922 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4881 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） npn 400MV @ 125MA 、2.5a 100 @ 1a、1V 100MHz
2SK2744(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2744 -
RFQ
 ECAD 1975年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK2744 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 50 v 45a（ta） 10V 20mohm @ 25a 、10V 3.5V @ 1MA 68 NC @ 10 V ±20V 2300 pf @ 10 v - 125W
TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1 -
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK55D10 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 55a（ta） 4.5V 、10V 10.5mohm @ 27a 、10V 2.3V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 5700 PF @ 10 V - 140W
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L 、LXHQ 1.3200
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK33S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 33a（ta） 4.5V 、10V 9.7mohm @ 16.5a 、10V 2.5V @ 500µA 33 NC @ 10 V ±20V 2250 PF @ 10 V - 125W
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L 1.4100
RFQ
 ECAD 5894 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK35S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 35a（ta） 6V 、10V 10.3mohm @ 17.5a 、10V 3V @ 1MA 28 NC @ 10 V ±20V 1370 PF @ 10 V - 58W （TC）
RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1906fe -
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1906 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
TRS24N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65D s1f -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS24N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 12a 1.7 V @ 12 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
2SC2229(TE6SAN1F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229 -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3462 -
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3462 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 250 v 3a（ta） 10V 1.7OHM @ 1.5A 、10V 3.5V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±20V 267 PF @ 10 V - 20W （TC）
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-GR （TE85L 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK879 100 MW USM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 8.2pf @ 10V 2.6 mA @ 10 v 400 mV @ 100 na
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2602 0.4700
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN2602 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1707je（TE85L 0.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1707 100MW ESV ダウンロード 1 （無制限） 264-RN1707je ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
TRS24N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65FB -
RFQ
 ECAD 9125 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS24N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） TRS24N65FBS1F（s ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 12a 1.7 V @ 12 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
CRZ10(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz10（TE85L -
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ10 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） CRZ10TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 6 V 10 v 30オーム
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N62 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 800ma（ta） 85mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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