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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
2SC5171,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 -
RFQ
 ECAD 7250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5171 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） npn 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF 、LF 0.3300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3K7002 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 270MW
TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E、S4x 2.4200
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosviii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 10a（ta） 10V 1OHM @ 5A 、10V 4V @ 1MA 46 NC @ 10 V ±30V 2000 PF @ 25 V - 50W （TC）
CMG05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG05 -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMG05 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） CMG05 ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J134TU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J134 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 3.2a（ta） 1.5V 、4.5V 93mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.7 NC @ 4.5 v ±8V 290 PF @ 10 V - 500MW
TK190E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK190E65Z、S1x 2.7800
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 15a（ta） 10V 190mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 v - 130W
RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1104 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 47 Kohms 47 Kohms
1SS423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS423 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS423 ショットキー SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 40 v 100mA 620 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2108 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
TK18A30D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK18A30D 、S5x 1.7900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 300 V 18a（ta） 10V 139mohm @ 9a、10v 3.5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 100 V - 45W
RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413TE85LF 0.2900
RFQ
 ECAD 4597 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2413 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2963fe -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2963 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
CMS09(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 -
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - Digi-Reel® 廃止 表面マウント SOD-128 CMS09 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a -
2SC3668-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3668-y、t2f（j -
RFQ
 ECAD 3546 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j771g、lf 0.6700
RFQ
 ECAD 4667 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-ufbga、wlcsp SSM6J771 モスフェット（金属酸化物） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 5a（ta） 2.5V 、8.5V 31mohm @ 3a 、8.5V 1.2V @ 1MA 9.8 NC @ 4.5 v ±12V 870 PF @ 10 V - 1.2W
TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W、S1Q -
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して To-262-3 Long Leads TK14C65 モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
TRS6V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6V65H 、LQ 2.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド sic （炭化シリコン）ショットキー 4-dfn-ep（8x8） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 6 a 0 ns 70 µA @ 650 V 175°C 6a 392pf @ 1V、1MHz
RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4908fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4908 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 47kohms
TPCA8128,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8128 -
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8128 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 34a（ta） 4.5V 、10V 4.8mohm @ 17a 、10V 2V @ 500µA 115 NC @ 10 V +20V、-25V 4800 PF @ 10 V - 1.6W
HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage hn4k03jute85lf -
RFQ
 ECAD 2107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 HN4K03 モスフェット（金属酸化物） 5スソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 2.5V 12OHM @ 10MA 、2.5V - 10V 8.5 PF @ 3 V - 200MW
RN2130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2130MFV 、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2130 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 100 @ 10ma 、5v 100 Kohms 100 Kohms
CMS10I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS10I40A 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS10 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 450 mV @ 1 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 62pf @ 10V、1MHz
2SK3906(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906 -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK3906 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 330mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±30V 4250 PF @ 25 V - 150W
RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1117 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
RN2411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 2606 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2411 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU 、LF 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K406 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 4.4a（ta） 4.5V 、10V 25mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 1MA 12.4 NC @ 10 V ±20V 490 PF @ 15 V - 500MW
2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z 0.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 2SA1955 100 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 12 v 400 Ma 100na（icbo） PNP 250mv @ 10ma 、200ma 300 @ 10MA 、2V 130MHz
1SS387,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387 、L3f 0.2300
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS387 標準 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 0.5pf @ 0V、1MHz
HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN4C06J-BL （TE85L f 0.1088
RFQ
 ECAD 3999 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 HN4C06 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100na（icbo） 2 npn （デュアル）共通エミッター 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L 、LQ 1.0300
RFQ
 ECAD 5833 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK25S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 25a（ta） 4.5V 、10V 18.5mohm @ 12.5a 、10V 2.5V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 855 PF @ 10 V - 57W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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