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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5、LVQ 3.0900
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK20V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 190mohm @ 10a 、10V 4.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 300 v - 156W
CUS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus06 -
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS06 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 cus06（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 20 v 450 mV @ 700 Ma 30 µA @ 20 V -40°C〜150°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
TDTC144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC144E、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC144 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 77 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60S10N1L 、LXHQ 1.5800
RFQ
 ECAD 1308 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK60S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 60a（ta） 6V 、10V 6.11mohm @ 30a 、10V 3.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4320 PF @ 10 V - 180W
1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383 0.4000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-82 1SS383 ショットキー USQ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2301 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz15 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ15 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 10 V 15 V 30オーム
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage hn3c10fute85lf 0.5600
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN3C10 200mw US6 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 11.5dB 12V 80ma 2 NPN （デュアル） 80 @ 20ma 、10V 7GHz 1.1DB @ 1GHz
2SK2266(TE24R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2266 -
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK2266 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 60 V 45a（ta） 4V 、10V 30mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 10 v - 65W
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
RFQ
 ECAD 5685 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 RN1441 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30 MHz 5.6 KOHMS
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3665-y、t2f（j -
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3665 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN4986FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4986fe、lf（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4986 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 47kohms
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J401TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J401 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2.5a（ta） 4V 、10V 73mohm @ 2a 、10V 2.6V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±20V 730 PF @ 15 V - 500MW
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2303 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-Y （TE85L 0.6800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SK2145 300 MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 13pf @ 10V 1.2 mA @ 10 v 200 mV @ 100 Na
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J378 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1W
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8052-H （T2L1、VM 1.1300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8052 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） 264-TPCA8052-H （T2L1VMTR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 4.5V 、10V 11.3mohm @ 10a 、10v 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 2110 pf @ 10 v - 1.6W
TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L 、LXHQ 0.9600
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK15S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 15a（ta） 4.5V 、10V 17.8mohm @ 7.5a 、10V 2.5V @ 100µA 10 NC @ 10 V ±20V 610 pf @ 10 v - 46W
CMS14(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS14 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS14 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 2 a 200 µA @ 60 V -40°C〜150°C 2a -
TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z 、LQ 1.5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK33S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 33a（ta） 10V 9.7mohm @ 16.5a 、10V 4V @ 500µA 28 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 10 V - 125W
SSM3K121TU Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K121TU -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 264-SSM3K121TU ear99 8541.21.0095 1 nチャネル 20 v 3.2a（ta） 1.5V 、4V 48mohm @ 2a 、4V 1V @ 1MA 5.9 NC @ 4 V ±10V 400 pf @ 10 V - 500MW
RN2111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2111 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
TK110N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK110N65Z、S1F 5.8800
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 24a（ta） 10V 110mohm @ 12a 、10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 v - 190W
CMS20I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I40A 0.2123
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS20 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 520 mV @ 2 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 2a 62pf @ 10V、1MHz
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W、S5x 6.5000
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK35A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 35a（ta） 10V 80mohm @ 17.5a 、10V 3.5V @ 2.1MA 100 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 50W （TC）
2SA1761,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761 -
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1761 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 3 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 75MA 、1.5a 120 @ 100MA 、2V 100MHz
RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1303 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
RN4988FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4988fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4988 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 47kohms
TPC8A02-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A02-H （TE12L -
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8A02 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 16a（ta） 4.5V 、10V 5.6mohm @ 8a 、10V 2.3V @ 1MA 34 NC @ 10 V ±20V 1970 pf @ 10 v - 1W
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K303T （TE85L -
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K303 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 2.9a（ta） 4V 、10V 83mohm @ 1.5a 、10V 2.6V @ 1MA 3.3 NC @ 4 V ±20V 180 pf @ 10 v - 700MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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