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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DA -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 3.5a（ta） 10V 2.2OHM @ 1.8A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - -
TK7P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W 、RVQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9031 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK7P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 7a（ta） 10V 600mohm @ 3.5a 、10V 3.7V @ 350µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 60W （TC）
2SC2383-O(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O -
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2383 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 160 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 60 @ 200ma 、5v 100MHz
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH 、L1Q 1.7300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH6400 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 200 v 13a（ta） 10V 64mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 300µA 11.2 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 1.6W
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y （TE6 -
RFQ
 ECAD 1528 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65D 1.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 6a（ta） 10V 1.11ohm @ 3a 、10V 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 45W
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z65C、S1F 48.8100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-4 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247-4L - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 100a（tc） 18V 22mohm @ 50a、18V 5V @ 11.7MA 128 NC @ 18 V +25V、-10V 4850 PF @ 400 v - 342W
TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z 、LQ 3.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK210V65 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 15a（ta） 10V 210mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 v - 130W
2SK2847(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2847 -
RFQ
 ECAD 1737 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK2847 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 8a（ta） 10V 1.4OHM @ 4A 、10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ±30V 2040 PF @ 25 V - 85W
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D 、S5x 1.7900
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 200 v 25a（ta） 10V 70mohm @ 12.5a 、10V 3.5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 100 V - 45W
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2313 lf 0.1800
RFQ
 ECAD 4580 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2313 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS427、L3m 0.2700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-923 1SS427 標準 SOD-923 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V -55°C〜150°C 100mA 0.3pf @ 0V、1MHz
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L 、LXHQ 1.0700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK40S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 40a（ta） 4.5V 、10V 18mohm @ 20a 、10v 2.5V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 1650 PF @ 10 V - 88.2W
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L 、LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK100S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 100a（ta） 4.5V 、10V 2.3mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 500µA 76 NC @ 10 V ±20V 5490 PF @ 10 V - 180W
1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387CT 、L3f 0.2400
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 1SS387 標準 CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大） 100mA 0.5pf @ 0V、1MHz
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j53fe -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J53 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.5V 、2.5V 136mohm @ 1a 、2.5V 1V @ 1MA 10.6 NC @ 4 V ±8V 568 PF @ 10 V - 500MW
RN1407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1407 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1407 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
2SJ360(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SJ360 モスフェット（金属酸化物） pw-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 100 pチャネル 60 V 1a（ta） 4V 、10V 730mohm @ 500ma 、10V 2V @ 1MA 6.5 NC @ 10 V ±20V 155 pf @ 10 v - 500MW
TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006PL 、LQ 0.6400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN11006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 26a（tc） 4.5V 、10V 11.4mohm @ 13a 、10V 2.5V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1625 PF @ 30 V - 610MW
TK20J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60W、S1ve 5.3600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK20J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W、S1x 2.8500
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 TK7E80 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 6.5a（ta） 10V 950mohm @ 3.3a 、10V 4V @ 280µA 13 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 300 v - 110W
SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K127TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K127 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 2a（ta） 1.8V 、4V 123mohm @ 1a 、4v 1V @ 1MA 1.5 NC @ 4 V ±12V 123 PF @ 15 V - 500MW
TK3R2A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2A08QM、S4x 2.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 92a（tc） 6V 、10V 3.2mohm @ 46a 、10V 3.5V @ 1.3MA 102 NC @ 10 V ±20V 7670 PF @ 40 V - 45W
TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1、S1X 0.9400
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK30E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 43a（ta） 10V 15mohm @ 15a 、10V 4V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1050 PF @ 30 V - 53W
TK13A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45D 2.4700
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK13A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 13a（ta） 10V 460mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L （T6L1、NQ 1.3300
RFQ
 ECAD 9822 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TJ20S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 20a（ta） 6V 、10V 22.2mohm @ 10a 、10V 3V @ 1MA 37 NC @ 10 V +10V、-20V 1850 pf @ 10 v - 41W
2SC4738-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-GR 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント SC-75、SOT-416 120 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
TPH1400ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1400ANH 、L1Q 1.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1400 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 24a（tc） 10V 13.6mohm @ 12a 、10V 4V @ 300µA 22 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 50 v - 1.6W
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087R （TE85L 0.1270
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-61AA 2SC5087 150MW SMQ - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80ma npn 120 @ 20MA 、10V 8GHz 1.1DB〜2DB @ 1GHz
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J507 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 10a（ta） 4V 、10V 20mohm @ 4a 、10V 2.2V @ 250µA 20.4 NC @ 4.5 v +20V、-25V 1150 PF @ 15 V - 1.25W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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