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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-Y 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 1595 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1162 150 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100µa（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA1873-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-y （TE85L 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 2SA1873 200mw USV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL 、L1Q 0.8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN4R303 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 40a（tc） 4.5V 、10V 4.3mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 200µA 14.8 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 15 V - 700MW
RN2101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2101ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2101 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45DA 1.6400
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 7.5a - - - -
2SA1869-Y(JKT,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y -
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1869 10 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µa（icbo） PNP 600mv @ 200ma 、2a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN2117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 -
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2117 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT （TPL3 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2105 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 2.2 KOHMS 47 Kohms
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 -
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2695 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
2SC3672-O(T2ASH,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3672-O -
RFQ
 ECAD 7881 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3672 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 300 V 100 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 2MA 、20MA 30 @ 20ma 、10V 80MHz
RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1306 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
CRH01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 0.5200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRH01 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 1a -
2SC4117-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4117-bl lf 0.2300
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4117 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1308 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1308 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
2SA1837,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 3098 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324-BL （TE85L f -
RFQ
 ECAD 9331 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3324 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 350 @ 2MA 、6V 100MHz
2SC5359-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5359-O 3.4000
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl 2SC5359 180 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µa（icbo） npn 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4116-gr、lf 0.1800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2507 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
2SA1428-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1428 900 MW MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SA1972,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972 -
RFQ
 ECAD 9783 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1972 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 400 V 500 Ma 10µa（icbo） PNP 1V @ 10MA 、100mA 140 @ 20MA 、5V 35MHz
2SC5233BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5233BTE85LF -
RFQ
 ECAD 8582 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC5233 100 MW USM - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 Ma 100na（icbo） npn 250mv @ 10ma 、200ma 500 @ 10MA 、2V 130MHz
2SA1837(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093、L1Q -
RFQ
 ECAD 7998 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8093 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 TPCC8093L1Q ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 20 v 21a（ta） 2.5V 、4.5V 5.8mohm @ 10.5a 、4.5V 1.2V @ 500µA 16 NC @ 5 V ±12V 1860 pf @ 10 v - 1.9W
RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1608 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1608 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH 、L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R50 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 60a（tc） 10V 4.5mohm @ 30a 、10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 50 V - 1.6W
2SA1020-O,CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
 ECAD 2405 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S06K3L -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK20S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 20a（ta） 6V 、10V 29mohm @ 10a 、10V 3V @ 1MA 18 NC @ 10 V ±20V 780 PF @ 10 V - 38W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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