画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SFAF508GHC0G | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF508 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | 70pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK53C | 0.1897 | ![]() | 2943 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK53 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
esglwhrvg | 0.4300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | esglw | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 800 Ma | 35 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 800mA | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS3G R6G | - | ![]() | 6602 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-RS3GR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 3 a | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
BC548A B1G | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | BC548 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | - | 110 @ 2MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRAD1045H | 0.8200 | ![]() | 8955 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRAD1045 | ショットキー | Thindpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 750 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 10a | 490pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF1660HC0G | - | ![]() | 3378 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF1660 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 16 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 16a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
TSM150NB04LCR RLG | 1.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM150 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 10a(タタ)、41a(tc) | 4.5V 、10V | 15mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±20V | 966 PF @ 20 V | - | 3.1W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SF2001GHC0G | - | ![]() | 9875 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF2001 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 10 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 20a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2A03G A0g | - | ![]() | 2911 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2A03 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5354 M6G | - | ![]() | 5172 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5354M6GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 12.9 v | 17 v | 3オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFA802GHC0G | - | ![]() | 5808 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SFA802 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSF20U100C | 2.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSF20 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 790 mV @ 10 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
Bzy55c3v3 | 0.0350 | ![]() | 4481 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZY55C3V3TR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 v | 85オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C91P RFG | - | ![]() | 6555 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.07% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 68 v | 90.5 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V6 | 0.0412 | ![]() | 8385 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C5V6TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 900 NA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF1608G | 0.6634 | ![]() | 7642 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF1608 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 16a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1545CT-Y | 0.4677 | ![]() | 3254 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1545 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS1545CT-YTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM042N03CS | 0.8059 | ![]() | 8384 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TSM042 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM042N03CSTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 30a(tc) | 4.5V 、10V | 4.2mohm @ 12a 、10V | 2.5V @ 250µA | 24 NC @ 4.5 v | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RS2A | - | ![]() | 7959 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-RS2ATR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C9V1 RFG | 0.0786 | ![]() | 9941 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ30SA R0G | 0.0305 | ![]() | 7172 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj30 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 23 v | 27.69 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
bzd27c9v1p rtg | - | ![]() | 5298 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.07% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 9.05 v | 4オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1CH | - | ![]() | 9494 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ES1CHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 1a | 16pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C6V8PHR3G | 0.1089 | ![]() | 9635 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C6V8P RQG | - | ![]() | 3734 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C51Pラグ | - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 v | 51 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2m62z | 0.1565 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M62 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 NA @ 47.1 v | 62 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4756AHA0G | - | ![]() | 2249 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4756 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZT52C12-G RHG | 0.0445 | ![]() | 8263 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム |
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