画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HS3J R7G | - | ![]() | 8087 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | HS3J | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | mtzj11sc | 0.0305 | ![]() | 1775 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj11 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ11SCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 8 V | 11.1 v | 30オーム | ||||||||||||
![]() | BZS55C11 RXG | 0.0340 | ![]() | 8272 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 8.2 v | 11 v | 20オーム | |||||||||||
![]() | MBRF2535CTHC0G | - | ![]() | 8731 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF2535 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 25a | 820 mV @ 12.5 a | 2 MA @ 35 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | 1T7GH | 0.0571 | ![]() | 1631 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | 1T7G | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1T7GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MBRS1060CT | 0.5559 | ![]() | 8206 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1060 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS1060CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 10a | 900 mV @ 10 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | TSSD20L45SW | 0.8340 | ![]() | 1864年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | TSSD20 | ショットキー | TO-252 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSSD20L45SWTR | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 650 mv @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 20a | 2600pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZV55C4V3 L1G | - | ![]() | 2572 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 75オーム | |||||||||||
![]() | 2M110Z B0G | - | ![]() | 7083 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M110 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 NA @ 83.6 v | 110 v | 250オーム | ||||||||||||
BZD17C18P MTG | - | ![]() | 4870 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.38% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 18 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | BZT55B56 L1G | - | ![]() | 6818 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 42 v | 56 v | 135オーム | |||||||||||
![]() | 1SMB5944 R5G | - | ![]() | 1324 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5944 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | BZT55C9V1 L0G | 0.0350 | ![]() | 1786 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 6.8 v | 9.1 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | SR20100pth | - | ![]() | 8995 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-247-3 | SR20100 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 550 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜125°C | ||||||||||
![]() | MBRF20H100CT | 0.6433 | ![]() | 6706 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF20 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 950 mv @ 20 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | BZX585B10 RSG | 0.0476 | ![]() | 9306 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585B1 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 180 na @ 7 v | 10 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | S3AH | - | ![]() | 2865 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S3AHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
BZD17C11P MQG | - | ![]() | 8070 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.45% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 4 µA @ 8.2 v | 11 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | SS32HR7G | - | ![]() | 9937 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS32 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | BZT55B2V7 L1G | - | ![]() | 6700 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 10 µA @ 1 V | 2.7 v | 85オーム | |||||||||||
![]() | TSZL52C24 RWG | - | ![]() | 1191 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | TSZL52 | 200 MW | 1005 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | SFT17GHR0G | - | ![]() | 3002 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | T-18 、軸 | SFT17 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZY55C36 | 0.0350 | ![]() | 8708 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZY55C36TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 27 V | 36 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | 1PGSMB5936 | 0.1689 | ![]() | 1923年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 1PGSMB59 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 22.8 v | 30 V | 26オーム | |||||||||||||
![]() | HER1007GH | 0.6029 | ![]() | 5155 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HER1007GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 800 V | 10a | 1.7 V @ 5 a | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MMSZ5256B | 0.0433 | ![]() | 7698 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5256 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MMSZ5256BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 23 V | 30 V | 49オーム | |||||||||||
![]() | murf1640cth | 0.7527 | ![]() | 5429 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | murf1640 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MURF1640CTH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 16a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||||
1SMA4752 | 0.0935 | ![]() | 5198 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA4752 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||||||
![]() | 1PGSMC5354 V7G | - | ![]() | 4833 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5354V7GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 NA @ 12.9 v | 17 v | 3オーム | |||||||||||
BZD27C27P MQG | - | ![]() | 3610 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.03% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 v | 15オーム |
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