画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SR1040 | 0.4632 | ![]() | 7656 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SR1040 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 10a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | TSM038N04LCP ROG | 3.0900 | ![]() | 480 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM038 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 135a(tc) | 4.5V 、10V | 3.8mohm @ 19a 、10V | 2.5V @ 250µA | 104 NC @ 10 V | ±20V | 5509 PF @ 20 V | - | 125W | ||||||||||||||||
BZD27C56P RHG | - | ![]() | 8092 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.14% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 43 v | 56 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFF506GH | 0.5843 | ![]() | 5309 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SFF506 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-SFF506GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 5a | 1.3 V @ 2.5 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C3V9 A0G | - | ![]() | 4894 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 85オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSM80N950CP | 2.7498 | ![]() | 7928 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM80 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM80N950CPTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 800 V | 6a(tc) | 10V | 950mohm @ 3a 、10V | 4V @ 250µA | 19.6 NC @ 10 V | ±30V | 691 PF @ 100 V | - | 110W | ||||||||||||||||
![]() | mur4l60 a0g | - | ![]() | 3034 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | mur4l60 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 4a | 65pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4746AHR1G | - | ![]() | 7282 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4746 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 50オーム | |||||||||||||||||||||||
S1GL RVG | - | ![]() | 2288 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1G | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | HS2B | - | ![]() | 5770 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-HS2BTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | MUR340S M6G | - | ![]() | 9435 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR340 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C51K RKG | 0.0511 | ![]() | 7406 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 39 v | 51 v | 180オーム | |||||||||||||||||||||||
SS110L RQG | - | ![]() | 3209 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS110 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 800 mV @ 1 a | 50 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | ug54g a0g | - | ![]() | 5913 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | UG54 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 5 a | 20 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | puad8bc | 0.9000 | ![]() | 1515 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 標準 | Thindpak | - | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 8a | 920 mv @ 4 a | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||||||||||||||
S1GL | 0.4500 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1G | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||
rsfgl rqg | - | ![]() | 2257 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfgl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | tuas8j | 0.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | Tuas8 | 標準 | SMPC4.6U | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 8 a | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 8a | 62pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR10150 C0G | - | ![]() | 7422 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | MBR1015 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 150 v | 1.05 V @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB260CI C0G | 4.2501 | ![]() | 9034 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 13a(tc) | 10V | 260mohm @ 3.9a 、10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 1273 PF @ 100 V | - | 32.1W | ||||||||||||||||
![]() | BZX585B2V7 RSG | 0.0476 | ![]() | 2730 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585B2 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 18 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSP12U120S | 1.4300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TSP12 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 120 v | 780 mV @ 12 a | 500 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR2535CTHC0G | - | ![]() | 2263 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR2535 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 25a | 850 mv @ 25 a | 200 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C11 A0G | - | ![]() | 5704 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 10 mA | 500 NA @ 8.2 v | 11 v | 8オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | SK54B | 0.1596 | ![]() | 3302 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SK54 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||
s1glhrhg | - | ![]() | 7567 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1G | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||
1PGSMA150Z | 0.1086 | ![]() | 1962年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA150 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 114 v | 150 v | 1000オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | RB751M5-40 | 0.0293 | ![]() | 8869 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | ショットキー | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-RB751M5-40TR | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 370 mV @ 1 Ma | 500 NA @ 30 V | -55°C〜125°C | 30ma | 2PF @ 1V 、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C6V8S RRG | 0.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 1.8 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSM680P06CP | 0.7098 | ![]() | 6313 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM680 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM680P06CPTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 60 V | 18a(tc) | 4.5V 、10V | 68mohm @ 6a 、10V | 2.2V @ 250µA | 16.4 NC @ 10 V | ±20V | 870 PF @ 30 V | - | 20W (TC) |
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