画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM250NB06LCV RGG | 1.5500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | TSM250 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (3.15x3.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 6a(ta )、27a(tc) | 4.5V 、10V | 25mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1307 PF @ 30 V | - | 1.9w | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V0 | 0.0412 | ![]() | 9558 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C3V0TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 9 µA @ 1 V | 3 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5228B | 0.0437 | ![]() | 1255 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5228 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MMSZ5228btr | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3BB R5G | - | ![]() | 3779 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | HS3B | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB041PW | 18.5407 | ![]() | 3510 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM60NB041PW | ear99 | 8541.29.0095 | 12,000 | nチャネル | 600 V | 78a(tc) | 10V | 41mohm @ 21.7a 、10V | 4V @ 250µA | 139 NC @ 10 V | ±30V | 6120 PF @ 100 V | - | 446W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B8V2 | 0.0301 | ![]() | 4035 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55B8V2TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S4J M6 | - | ![]() | 2817 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S4JM6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C22 RFG | 0.0786 | ![]() | 1318 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 17 V | 22 v | 55オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B20 L0G | 0.0385 | ![]() | 7464 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
S1JL | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | DO-219AB | S1J | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 6a20gha0g | - | ![]() | 3674 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 6A20 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 700 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 6 a | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF20200CT | 1.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF20200 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 1.05 V @ 20 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4436CS | 0.6474 | ![]() | 5749 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TSM4436 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM4436CSTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 8a(ta) | 4.5V 、10V | 36mohm @ 4.6a 、10V | 3V @ 250µA | 16 NC @ 4.5 v | ±20V | 1100 PF @ 30 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5954H | 0.1798 | ![]() | 8201 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 自動車、AEC-Q101、1PGSMB59 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 121.6 v | 160 v | 700オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZY55C3V3 RYG | 0.0350 | ![]() | 4188 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 v | 85オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR315 A0g | 0.8800 | ![]() | 121 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR315 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR005 A0G | - | ![]() | 6892 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SR005 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 500 Ma | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 500mA | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mtzj9v1sb r0g | 0.0305 | ![]() | 1209 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj9 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 500 NA @ 6 V | 8.79 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5952H | 0.1798 | ![]() | 8364 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 自動車、AEC-Q101、1PGSMB59 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 98.8 v | 130 v | 450オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HERF1001G C0G | - | ![]() | 7450 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | HERF1001 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 10a | 1 V @ 10 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRF1030 C0G | - | ![]() | 3096 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SRF1030 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 10a | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 6A10GHB0G | - | ![]() | 1634 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 6A10 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
TSA894CT B0G | - | ![]() | 9861 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | TSA894 | 1 W | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 10,000 | 500 V | 150 Ma | 100na(icbo) | PNP | 500mv @ 10ma 、50ma | 150 @ 1MA 、10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
rsfjl | 0.3800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfjl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 500 Ma | 500 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD17C18PH | 0.2790 | ![]() | 9465 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C18PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 18 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8MC V7G | 0.9600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S8MC | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 985 mV @ 8 a | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF11G A0G | - | ![]() | 6480 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SF11 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ESH3B R7G | - | ![]() | 4482 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ESH3 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 100 V | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR15100cth | - | ![]() | 9718 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | MBR15100 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 920 MV @ 7.5 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B12 RHG | 0.2700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 90 na @ 8 v | 12 v | 25オーム |
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