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離散半導体製品（ 15635）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
ZM4746A L0G	0.0830	RFQ	4503	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	表面マウント	do-213ab 、メルフ	ZM4746		1 W	メルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																		5 µA @ 13.7 v							18 v	20オーム
es1jlhrfg	-	RFQ	2576	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	ES1J	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns													600 V		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
MBRS10100Cth	0.5262	RFQ	8232	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRS10100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MBRS10100CTHTR	ear99	8541.10.0080	1,600	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	100 V	10a	950 mv @ 10 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
BZX84C36 RFG	0.0511	RFQ	4591	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84		300 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 25.2 v							36 v	90オーム
S5G M6G	-	RFQ	7615	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc	S5G	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns													400 V		1.15 V @ 5 a	1.5 µs	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	5a	60pf @ 4V、1MHz
KTC3198-O-B0 A1G	-	RFQ	6443	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3			500 MW	to-92	ダウンロード			影響を受けていない	1801-KTC3198-O-B0A1GTB	廃止		1																						50 v	150 Ma	100na（icbo）			npn	250MV @ 10MA 、100mA	70 @ 150ma 、6V	80MHz
TSM480P06CI C0G	-	RFQ	8557	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	廃止		-50°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ		モスフェット（金属酸化物）		ITO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	TSM480P06CIC0G	ear99	8541.29.0095	1		pチャネル	60 V	20a（tc）	4.5V 、10V	48mohm @ 8a 、10V	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 PF @ 30 V	-	27W （TC）
BZD27C18PHRVG	0.2933	RFQ	2286	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.4％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 13 V							17.95 v	15オーム
BZD27C120P M2G	-	RFQ	9768	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.39％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 91 v							120.5 v	300オーム
rs1klw rvg	0.4400	RFQ	9	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123W	rs1k	標準		SOD-123W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns													800 V		1.3 V @ 1 a	250 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1a	-
ES1GL RTG	-	RFQ	9673	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	ES1G	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns													400 V		1.3 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	8PF @ 1V、1MHz
SR303 A0G	-	RFQ	1787	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	SR303	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns													30 V		550 mV @ 3 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	3a	-
S1K	0.0550	RFQ	5316	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1K	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns													800 V		1.1 V @ 1 a	1.5 µs	1 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
RS2DFS	0.4600	RFQ	6	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-128	RS2D	標準		SOD-128	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns													200 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	2a	11pf @ 4V、1MHz
BZD27C12PHRQG	-	RFQ	2686	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.39％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 9.1 v							12.05 v	7オーム
1N5254B	0.0271	RFQ	1105	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	200°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5254		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-1N5254BTR	ear99	8541.10.0050	10,000																1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 21 V							27 v	41オーム
BZT52B2V4S RRG	-	RFQ	5935	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 10 mA		45 µA @ 1 V							2.4 v	100オーム
es1flhmtg	-	RFQ	7185	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	ES1F	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns													300 V		1.3 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
SK315A	0.4500	RFQ	33	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SK315	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns													150 v		950 mv @ 3 a		100 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	3a	-
mur4l40hb0g	-	RFQ	5616	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	バルク	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	mur4l40	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns													400 V		1.28 V @ 4 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	4a	65pf @ 4V、1MHz
HS2KAL	0.3900	RFQ	6	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	HS2K	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns													800 V		1.7 V @ 2 a	75 ns	1 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	2a	12pf @ 4V、1MHz
1N4755G A0g	-	RFQ	2770	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C（タタ	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4755		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 32.7 v							43 v	70オーム
BZD27C75P M2G	-	RFQ	8867	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.04％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 56 v							74.5 v	100オーム
2M43Z B0G	-	RFQ	9226	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	2M43		2 W	DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000																		500 NA @ 32.7 v							43 v	35オーム
BZS55B11 RXG	-	RFQ	4264	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	1206 （3216 メトリック）	BZS55		500 MW	1206	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 10 Ma		100 Na @ 8.2 v							11 v	20オーム
BZT52B15 RHG	0.2700	RFQ	40	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123F	BZT52B		500 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 10 mA		45 Na @ 10.5 v							15 V	30オーム
SR303	-	RFQ	7586	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸		ショットキー		DO-201AD	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-SR303TR	ear99	8541.10.0080	1,250	高速回復= <500ns													30 V		550 mV @ 3 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	3a	-
BZD17C13P RQG	-	RFQ	9141	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.53％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17		800 MW	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.2 V @ 200 mA		2 µA @ 10 V							13 v	10オーム
TSD10L200CW	2.3400	RFQ	20	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません			表面マウント	TO-263-3	TSD10			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800
SSL34 R7G	-	RFQ	3928	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc	SSL34	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns													40 v		410 mv @ 3 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	3a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 15635）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²