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離散半導体製品（ 15635）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
heraf1007g	-	RFQ	9989	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック		標準		ITO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-heraf1007g	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												800 V	1.7 V @ 10 a	80 ns	10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	10a	60pf @ 4V、1MHz
BZD17C47P RVG	-	RFQ	7246	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.38％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17		800 MW	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 36 V									47 v	45オーム
F1T5G A1G	-	RFQ	1108	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	T-18 、軸	F1T5	標準		TS-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												600 V	1.3 V @ 1 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BZY55B5V1 RYG	-	RFQ	3063	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	0805 （2012 メトリック）	BZY55		500 MW	0805	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000														1.5 V @ 10 Ma		100 Na @ 1 V									5.1 v	50オーム
mtzj6v8sb	0.0299	RFQ	5258	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ag	mtzj6		500 MW	DO-34	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MTZJ6V8SBTR	ear99	8541.10.0050	10,000																2 µA @ 3.5 v									6.8 v	20オーム
SF2005G	0.7283	RFQ	4163	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	SF2005	標準		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												300 V	1.3 V @ 10 a	35 ns	5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	20a	80pf @ 4V、1MHz
KBP105G C2G	-	RFQ	5998	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbp		標準		KBP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000														1 V @ 1 a		10 µA @ 600 V		1 a				単相	600 V
TSM1NB60SCT A3G	-	RFQ	7613	台湾半導体コーポレーション	-	カットテープ（CT）	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3		モスフェット（金属酸化物）		to-92	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル	600 V	500ma	10V	10ohm @ 250ma 、10V	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 PF @ 25 V	-	2.5W
US1AH	-	RFQ	4994	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA		標準		do-214ac	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-US1AHTR	ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns												50 v	1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
1SMA4740H	0.0995	RFQ	8382	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA4740		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																5 µA @ 7.6 v									10 v	7オーム
F1T6G A0g	-	RFQ	6390	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	T-18 、軸	F1T6	標準		TS-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												800 V	1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
1SMA4744	0.0935	RFQ	195	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA4744		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																1 µA @ 11.4 v									15 V	14オーム
mtzj3v3sa r0g	0.0305	RFQ	3392	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ag	mtzj3		500 MW	DO-34	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																20 µA @ 1 V									3.27 v	120オーム
1PGSMC5352 R6G	-	RFQ	3358	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-214ab 、mc	1pgsmc		5 W	do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-1PGSMC5352R6GTR	ear99	8541.10.0050	3,000																1 µA @ 11.5 v									15 V	3オーム
es1flhrvg	0.2565	RFQ	9088	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	ES1F	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												300 V	1.3 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
TSM16ND50CI	3.1438	RFQ	8196	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	TSM16	モスフェット（金属酸化物）		ITO-220	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSM16ND50CI	ear99	8541.29.0095	4,000		nチャネル	500 V	16a（tc）	10V	350mohm @ 4a 、10V	4.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	2551 PF @ 50 V	-	59.5W
BZV55C7V5 L1G	-	RFQ	8796	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZV55C		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500														1 V @ 10 mA		100 Na @ 5 V									7.5 v	7オーム
BZD27C8V2PHMTG	-	RFQ	4379	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.09％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500														1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V									8.2 v	2オーム
1PGSMC5355 R6G	-	RFQ	2893	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-214ab 、mc	1pgsmc		5 W	do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-1PGSMC5355R6GTR	ear99	8541.10.0050	3,000																500 NA @ 13.7 v									18 v	3オーム
SF1606PTHC0G	-	RFQ	1445	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	SF1606	標準		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												400 V	1.3 V @ 8 a	35 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	16a	85pf @ 4V、1MHz
BZD27C15PW	0.5100	RFQ	11	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	SOD-123W	BZD27		1 W	SOD-123W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000														1 V @ 200 mA		1 µA @ 11 v									15 V	10オーム
BZT55C2V7 L0G	0.0350	RFQ	7879	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZT55		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000														1 V @ 10 mA		10 µA @ 1 V									2.7 v	85オーム
UG06C	0.0953	RFQ	7585	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	T-18 、軸	UG06	標準		TS-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns												150 v	950 mV @ 600 Ma	15 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	600MA	9pf @ 4V、1MHz
BZT55B56 L0G	0.0385	RFQ	7044	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZT55		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000														1 V @ 10 mA		100 Na @ 42 v									56 v	135オーム
F1T1G A1G	-	RFQ	7431	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	T-18 、軸	F1T1	標準		TS-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												50 v	1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
1N4753a	0.1118	RFQ	3641	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4753		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																5 µA @ 27.4 v									36 v	50オーム
ES3G R7	-	RFQ	8438	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc		標準		do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-ES3GR7TR	ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns												400 V	1.3 V @ 3 a	35 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
BZX55C27 A0G	-	RFQ	3712	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000														1 V @ 100 MA		100 Na @ 20 V									27 v	80オーム
BZD17C75P RHG	-	RFQ	2656	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17		800 MW	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000														1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 56 v									75 v	100オーム
BC338-16 B1	-	RFQ	3511	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			625 MW	to-92	-			影響を受けていない	1801-BC338-16B1	廃止		1																				25 v	800 Ma			100na（icbo）			npn	700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA 、5V	100MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 15635）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²