画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | s3mbh | 0.1210 | ![]() | 9211 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S3M | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZY55B12 RYG | 0.0583 | ![]() | 5917 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 9.1 v | 12 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM70N600ACL | 3.1215 | ![]() | 7932 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-262-3 | TSM70 | モスフェット(金属酸化物) | to-262s | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM70N600ACL | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 700 V | 8a(tc) | 10V | 600mohm @ 2.4a 、10V | 4V @ 250µA | 12.6 NC @ 10 V | ±30V | 743 PF @ 100 V | - | 83W | |||||||||||||||||||||
![]() | mtzj11sa r0g | 0.0305 | ![]() | 6293 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj11 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 8 V | 10.45 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA130Z R3G | - | ![]() | 4234 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA130 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1PGSMA130ZR3G | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 98.8 v | 130 v | 700オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | pu2bbh | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 930 mv @ 2 a | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 2a | 33pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | bzx79b3v9 a0g | - | ![]() | 2557 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 MA | 1 mA @ 10 v | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzy55b2v4 Ryg | 0.0486 | ![]() | 7133 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 85オーム | |||||||||||||||||||||||||||
SS15 R3G | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS15 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 750 mv @ 1 a | 200 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | es1dalh | 0.1131 | ![]() | 2068 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ES1DALHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | 18pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ug8j | 0.7333 | ![]() | 5060 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | ug8j | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.9 V @ 8 a | 25 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||
rs1gl | 0.0725 | ![]() | 9689 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | DO-219AB | rs1g | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
rsfdlhrug | - | ![]() | 3278 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfdl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4754A | 0.0830 | ![]() | 2811 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | ZM4754 | 1 W | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ZM4754ATR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF23GH | - | ![]() | 1660 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SF23GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 2a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V1 | 0.0412 | ![]() | 4603 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C5V1TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 1.8 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3DB R5G | 0.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | HS3D | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SK15H45 | 0.7872 | ![]() | 8734 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | SK15 | ショットキー | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 560 mV @ 15 a | 150 µA @ 45 V | 200°C (最大) | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||
rsfjlhmtg | - | ![]() | 4591 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfjl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 500 Ma | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
HS1KLW RVG | 0.0929 | ![]() | 6414 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | HS1K | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 1a | 7pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5945 R5G | - | ![]() | 7013 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1PGSMB5945 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 51.7 v | 68 v | 120オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC550B A1G | - | ![]() | 2741 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | BC550 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | - | 200 @ 2MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||
SS12L M2G | - | ![]() | 6468 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS12 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 20 v | 450 mV @ 1 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR1502HB0G | - | ![]() | 8509 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | SR1502 | ショットキー | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mV @ 15 a | 500 µA @ 20 V | -50°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B13 L0G | 0.0357 | ![]() | 6254 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 10 V | 13 v | 26オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM7N90CZ C0G | - | ![]() | 9040 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | TSM7N90 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 900 V | 7a(tc) | 10V | 1.9OHM @ 3.5A 、10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 V | ±30V | 1969 PF @ 25 V | - | 40.3W | |||||||||||||||||||||
![]() | SF31GHB0G | - | ![]() | 4752 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF31 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B20 L0G | 0.0357 | ![]() | 9937 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4753G | 0.0633 | ![]() | 9465 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4753 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N4753GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 50オーム | |||||||||||||||||||||||||||
BZD17C11P RTG | - | ![]() | 4735 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.45% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 4 µA @ 8.2 v | 11 v | 7オーム |
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