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離散半導体製品（ 15635）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX55B18	0.0301	RFQ	8553	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZX55B18TR	ear99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 100 MA		100 Na @ 14 V						18 v	50オーム
SRA8150 C0G	-	RFQ	3471	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	SRA8150	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns													150 v		550 mv @ 8 a		100 µA @ 150 V	-55°C〜125°C	8a	-
BZT55C24 L1G	-	RFQ	2496	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZT55		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500																1 V @ 10 mA		100 Na @ 18 V						24 v	80オーム
TS8P05G C2G	-	RFQ	7716	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、TS-6p	TS8P05	標準		TS-6P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15																1.1 V @ 8 a		10 µA @ 600 V		8 a		単相	600 V
SS13L RFG	-	RFQ	6106	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS13	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns													30 V		500 mV @ 1 a		400 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	1a	-
HER1606GH	0.6029	RFQ	7235	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3		標準		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-HER1606GH	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	600 V	16a	1.7 V @ 8 a	80 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
DBL204G	0.2700	RFQ	8827	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-dip （0.300 "、7.62mm）	DBL204	標準		dbl	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																1.15 V @ 2 a		2 µA @ 400 V		2 a		単相	400 V
DBL201GHC1G	-	RFQ	7853	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	穴を通して	4-dip （0.300 "、7.62mm）	DBL201	標準		dbl	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																1.15 V @ 2 a		2 µA @ 5 V		2 a		単相	50 v
SK20H45	0.7872	RFQ	1654	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	R-6 、軸	SK20	ショットキー		R-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns													45 v		550 mv @ 20 a		150 µA @ 45 V	200°C （最大）	20a	-
S4A V7G	1.0100	RFQ	830	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc	S4a	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	標準回復> 500ns													50 v		1.15 V @ 4 a	1.5 µs	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	4a	60pf @ 4V、1MHz
BZD27C82P MHG	-	RFQ	6918	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.09％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 62 v						82 v	200オーム
MBRAD10200DH	0.9500	RFQ	7033	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRAD10200	ショットキー		Thindpak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）					4,500	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	200 v	10a	880 mV @ 5 a		10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C
SS12LHRHG	-	RFQ	4178	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS12	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns													20 v		450 mV @ 1 a		400 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	-
DBL208GH	0.2874	RFQ	6873	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-dip （0.300 "、7.62mm）	DBL208	標準		dbl	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																1.3 V @ 2 a		2 µA @ 1200 v		2 a		単相	1.2 kv
DBLS102GHC1G	-	RFQ	6035	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DBLS102	標準		dbls	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 1 a		2 µA @ 100 V		1 a		単相	100 V
DBL205G	0.2700	RFQ	7519	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-dip （0.300 "、7.62mm）	DBL205	標準		dbl	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																1.15 V @ 2 a		2 µA @ 600 V		2 a		単相	600 V
SFF1607G C0G	-	RFQ	7614	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	SFF1607	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns													500 V		1.7 V @ 8 a	35 ns	10 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	16a	50pf @ 4V、1MHz
TSM2N7000KCT B0G	-	RFQ	6666	台湾半導体コーポレーション	-	箱	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	TSM2N7000	モスフェット（金属酸化物）		to-92	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000		nチャネル	60 V	300ma（ta）	5V、10V	5OHM @ 100MA 、10V	2.5V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	60 pf @ 25 v	-	400MW
BZT52B43 RHG	0.3000	RFQ	3	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123F	BZT52B		500 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 10 mA		45 Na @ 30.1 v						43 v	150オーム
DBLS107G C1G	-	RFQ	7948	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DBLS107	標準		dbls	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 1 a		2 µA @ 1000 V		1 a		単相	1 kV
DBLS151GHC1G	-	RFQ	6652	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DBLS151	標準		dbls	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 1.5 a		2 µA @ 50 V		1.5 a		単相	50 v
DBLS153GHC1G	-	RFQ	1867年	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DBLS153	標準		dbls	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 1.5 a		2 µA @ 200 v		1.5 a		単相	200 v
DBLS104GHC1G	-	RFQ	4157	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DBLS104	標準		dbls	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 1 a		2 µA @ 400 V		1 a		単相	400 V
MBR2090PT C0G	-	RFQ	3826	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-247-3	MBR2090	ショットキー		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	90 v	20a	950 mv @ 20 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C
BZX79B56	0.0375	RFQ	9582	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZX79B56TR	ear99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 100 MA		39.2 mA @ 50 mV						56 v	200オーム
1SMA4759	0.0944	RFQ	6018	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA4759		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																		1 µA @ 47.1 v						62 v	125オーム
TSM8N70CI C0	-	RFQ	1981年年	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ		モスフェット（金属酸化物）		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	TSM8N70CIC0	ear99	8541.29.0095	50		nチャネル	700 V	8a（tc）	10V	900mohm @ 4a 、10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	2006 PF @ 25 V	-	40W （TC）
SS23L MQG	-	RFQ	6373	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS23	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns													30 V		500 mV @ 2 a		400 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	2a	-
rs1blhrqg	-	RFQ	5732	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	RS1B	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns													100 V		1.3 V @ 800 Ma	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V、1MHz
TSM301K12CQ RFG	0.8200	RFQ	7	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません		-55°C〜150°C	表面マウント	6-vdfn露出パッド	TSM301	モスフェット（金属酸化物）		6-tdfn （2x2）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000		pチャネル	20 v	4.5a（ta）	1.8V 、4.5V	94mohm @ 2.8a 、4.5V	500MV @ 250µA	10 NC @ 5 V	±12V	5.2 PF @ 6 V	-	6.5W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 15635）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²