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離散半導体製品（ 15635）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
TSM019NH04CR RLG	6.3000	RFQ	5	台湾半導体コーポレーション	Perfet™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn		モスフェット（金属酸化物）		8-PDFNU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル	40 v	35a	7V 、10V	1.9mohm @ 50a 、10V	3.6V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	6029 PF @ 25 V	-	150W
SR309	-	RFQ	4393	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸		ショットキー		DO-201AD	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-SR309TR	ear99	8541.10.0080	1,250	高速回復= <500ns													90 v		850 mv @ 3 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	3a	-
MBR2535CT C0G	-	RFQ	1485	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR2535	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	35 v	25a	850 mv @ 25 a		200 µA @ 35 V	-55°C〜150°C
BZT52B10	0.0412	RFQ	8224	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123F	BZT52B		500 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZT52B10TR	ear99	8541.10.0050	6,000																1 V @ 10 mA		180 na @ 7 v						10 v	20オーム
SK215AHR3G	-	RFQ	6696	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	SK215	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns													150 v		950 mv @ 2 a		100 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	2a	-
SS24LHRVG	-	RFQ	2592	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS24	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns													40 v		500 mV @ 2 a		400 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	2a	-
SF15GHB0G	-	RFQ	1023	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SF15	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns													300 V		1.3 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
SS16L MHG	-	RFQ	8548	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS16	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns													60 V		700 mV @ 1 a		400 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	-
BZX79C47 A0G	-	RFQ	8901	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 100 MA		50 Na @ 32.9 v						47 v	170オーム
TSM6NB60CZ C0G	-	RFQ	5009	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル	600 V	6a（tc）	10V	1.6OHM @ 3A 、10V	4.5V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±30V	872 PF @ 25 V	-	40W （TC）
SRF2060	1.2500	RFQ	892	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	SRF2060	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	60 V	20a	700 mV @ 10 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
BZD17C11Pラグ	-	RFQ	8070	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.45％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17		800 MW	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800																1.2 V @ 200 mA		4 µA @ 8.2 v						11 v	7オーム
SF33GH	-	RFQ	7418	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸		標準		DO-201AD	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-SF33GHTR	ear99	8541.10.0080	1,250	高速回復= <500ns													150 v		950 mv @ 3 a	35 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	3a	80pf @ 4V、1MHz
BZD27C51P RTG	-	RFQ	8187	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.88％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 39 v						51 v	60オーム
MBR16150	0.9369	RFQ	7922	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2		ショットキー		TO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns													150 v		950 mv @ 16 a		100 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	16a	-
BZX79C2V0	0.0287	RFQ	2365	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZX79C2V0TR	ear99	8541.10.0050	20,000																1.5 V @ 100 MA		150 µA @ 1 V						2 v	100オーム
DBLS151G RDG	-	RFQ	9551	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DBLS151	標準		dbls	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500																1.1 V @ 1.5 a		2 µA @ 50 V		1.5 a		単相	50 v
HS1DL M2G	-	RFQ	9980	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	HS1D	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns													200 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
puup8dh	0.8300	RFQ	5	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN		標準		TO-277A	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-PUUP8DHTR	ear99	8541.10.0080	6,000	高速回復= <500ns													200 v		1.05 V @ 8 a	25 ns	2 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	8a	96pf @ 4V、1MHz
MBRF2045CT	0.5661	RFQ	2293	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF2045	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	45 v	20a	840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-55°C〜150°C
esdlwhrvg	0.4300	RFQ	8	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123W	esdlw	標準		SOD-123W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns													200 v		950 mV @ 800 Ma	35 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	800mA	21pf @ 4V、1MHz
TSSE3U60HRVG	0.9300	RFQ	10	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123H	TSSE3	ショットキー		SOD-123HE	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns													60 V		580 mV @ 3 a		1 MA @ 60 v	-55°C〜150°C	3a	-
1PGSMC5348 R6G	-	RFQ	1733	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-214ab 、mc	1pgsmc		5 W	do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-1PGSMC5348R6GTR	ear99	8541.10.0050	3,000																		5 µA @ 8.4 v						11 v	3オーム
BZT52B7V5-G	0.0461	RFQ	6386	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZT52B7V5-GTR	ear99	8541.10.0050	6,000																900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 5 V						7.5 v	15オーム
UGF1005GAH	0.5099	RFQ	8536	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	UGF1005	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-ugf1005gah	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												1ペア共通アノード	300 V	10a	1.25 V @ 5 a	20 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜175°C
BZD27C160P RHG	-	RFQ	6749	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.55％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 120 v						162 v	350オーム
BZD27C200P M2G	-	RFQ	8783	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 150 V						200 v	750オーム
TSM10N60CZ C0	-	RFQ	8922	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	TSM10N60CZC0	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	600 V	10a（tc）	10V	750mohm @ 5a 、10V	4V @ 250µA	45.8 NC @ 10 V	±30V	1738 PF @ 25 V	-	166W
TSM9N90ECI C0G	-	RFQ	5411	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	TSM9	モスフェット（金属酸化物）		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル	900 V	9a（tc）	10V	1.4OHM @ 4.5A 、10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	2470 PF @ 25 V	-	89W
1N4756A A0g	-	RFQ	9183	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4756		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																		5 µA @ 35.8 v						47 v	80オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 15635）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²