画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52C5V6K | 0.0474 | ![]() | 7144 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C5V6KTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzy55b22 Ryg | 0.0486 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S4A M6G | - | ![]() | 8779 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S4a | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 4 a | 1.5 µs | 100 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5226B | 0.0433 | ![]() | 8930 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5226 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MMSZ5226BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム | ||||||||||||||||||||||||
DBLS106GHC1G | - | ![]() | 7362 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DBLS106 | 標準 | dbls | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 2 µA @ 800 V | 1 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR3060PT | 1.7416 | ![]() | 4526 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | MBR3060 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 30a | 1 MA @ 60 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5353H | 0.3459 | ![]() | 3642 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 自動車、AEC-Q101、1PGSMC53 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 12.2 v | 16 v | 3オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TS50P05G C2G | - | ![]() | 1778 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS50P05 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 50 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||||||||
S1ml rhg | - | ![]() | 5495 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1ML | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | TS40P06G | 1.3743 | ![]() | 4417 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS40P06 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 800 V | 40 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD17C120P | 0.3540 | ![]() | 9812 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.39% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C120PTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 v | 120 v | 300オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TS8P03G C2G | - | ![]() | 1558 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS8P03 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 200 v | 8 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HERF1603G C0G | - | ![]() | 9238 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | HERF1603 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 16a | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | TS8P03GHC2G | - | ![]() | 3230 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS8P03 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 200 v | 8 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||
TSM1N45CT B0G | - | ![]() | 5598 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | モスフェット(金属酸化物) | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 450 v | 500ma | 10V | 4.25OHM @ 250MA 、10V | 4.25V @ 250µA | 6.5 NC @ 10 V | ±30V | 235 pf @ 25 v | - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | TS35P07GH | 1.5366 | ![]() | 1776 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS35P07 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 17.5 a | 10 µA @ 1000 v | 35 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C16 A0G | - | ![]() | 6572 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 100 na @ 12 v | 16 v | 40オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TS6P07GHC2G | - | ![]() | 3681 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS6P07 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 1000 v | 6 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ES2JFL | 0.0954 | ![]() | 1634 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ES2JFLTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 2a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | DBL158G | 0.2700 | ![]() | 3825 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | DBL158 | 標準 | dbl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.25 V @ 1.5 a | 2 µA @ 1200 v | 1.5 a | 単相 | 1.2 kv | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TS25P03GHC2G | - | ![]() | 5472 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS25P03 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 200 v | 25 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TS25P05GHC2G | - | ![]() | 7543 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS25P05 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 25 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C16 RHG | 0.0412 | ![]() | 5070 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TS6P02G D2G | - | ![]() | 7853 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS6P02 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 100 V | 6 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PE4BC | 0.6500 | ![]() | 8171 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | 1 (無制限) | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 930 mv @ 4 a | 20 ns | 2 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 4a | 72pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR309HA0G | - | ![]() | 9528 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR309 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | TS8P01GHD2G | - | ![]() | 8676 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS8P01 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 50 V | 8 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TS50P07G C2G | - | ![]() | 5015 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS50P07 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 1000 v | 50 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF508G | - | ![]() | 2913 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SFF508 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2.5 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | HS1AL | 0.2228 | ![]() | 1172 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HS1ALTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz |
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