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離散半導体製品（ 15635）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
Bzy55c9v1	0.0350	RFQ	5145	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	0805 （2012 メトリック）	BZY55		500 MW	0805	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-Bzy55c9v1tr	ear99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 10 Ma		100 Na @ 6.8 v									9.1 v	10オーム
rsfmlhmqg	-	RFQ	6767	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	rsfml	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns													1000 V		1.3 V @ 500 Ma	500 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz
BC547B A1G	-	RFQ	3049	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止		-65°C〜150°C	穴を通して	to-226-3	BC547		500 MW	to-92	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	4,000																						45 v	100 Ma			15NA			npn	-	200 @ 2MA 、5V	-
BZT52B75-G	0.0466	RFQ	8009	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123F	BZT52B		410 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZT52B75-GTR	ear99	8541.10.0050	6,000																900 mV @ 10 Ma		45 Na @ 52.5 v									75 v	255オーム
ES1HLH	0.2603	RFQ	3750	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123		標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-ES1HLHTR	ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns													500 V		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
BC546C A1	-	RFQ	9119	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止		-65°C〜150°C	穴を通して	to-226-3			500 MW	to-92	ダウンロード			影響を受けていない	1801-BC546CA1TB	廃止		1																						65 v	100 Ma			15NA			npn	-	420 @ 2MA 、5V	-
HER152G R0G	-	RFQ	9096	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	HER152	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns													100 V		1 V @ 1.5 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1.5a	35pf @ 4V、1MHz
F1T2G R0G	-	RFQ	1538	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			穴を通して	T-18 、軸	F1T2	標準		TS-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns													100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
MBR4045PTHC0G	-	RFQ	1884年	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	MBR4045	ショットキー		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	45 v	40a	800 mV @ 40 a		1 MA @ 45 v	-55°C〜150°C
2M22Z B0G	-	RFQ	4087	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	2m22		2 W	DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000																		500 NA @ 16.7 v									22 v	12オーム
SK53C R7	-	RFQ	3693	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc		ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-SK53CR7TR	ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns													30 V		550 mv @ 5 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	5a	-
es1jlhrhg	-	RFQ	6689	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	ES1J	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns													600 V		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
2A07G A0G	-	RFQ	2245	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	2A07	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns													1000 V		1 V @ 2 a		5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	2a	15pf @ 4V、1MHz
TQM070NH04CR RLG	2.7600	RFQ	5	台湾半導体コーポレーション	Automotive 、AEC-Q101、Perfet™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	TQM070	モスフェット（金属酸化物）		8-PDFN （5x6）	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル	40 v	16a（タタ）、 54a（tc）	7V 、10V	7mohm @ 27a 、10v	3.6V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	2006 PF @ 25 V	-	46.8W
SF14GHB0G	-	RFQ	2873	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SF14	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns													200 v		950 mv @ 1 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
mtzj24sc	0.0305	RFQ	3724	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ag	MTZJ24		500 MW	DO-34	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MTZJ24SCTR	ear99	8541.10.0050	10,000																		200 Na @ 19 v									23.72 v	35オーム
GP1606	0.5920	RFQ	6130	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	GP1606	標準		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	標準回復> 500ns												1ペア共通カソード	800 V	16a	1.1 V @ 8 a		10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C
DBLS203GHRDG	-	RFQ	4170	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DBLS203	標準		dbls	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500																1.15 V @ 2 a		2 µA @ 200 v		2 a				単相	200 v
tuau4dh	0.2466	RFQ	5695	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	tuau4	標準		SMPC4.6U	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-tuau4dhtr	ear99	8541.10.0080	6,000	高速回復= <500ns													200 v		900 mV @ 4 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	4a	62pf @ 4V、1MHz
ES2J	0.1407	RFQ	6	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ES2J	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,000	高速回復= <500ns													600 V		1.7 V @ 2 a	35 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	2a	20pf @ 4V、1MHz
BZD27C75PHRHG	-	RFQ	8622	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.04％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 56 v									74.5 v	100オーム
HS1KL MTG	-	RFQ	3794	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	HS1K	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns													800 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BZS55C3V3 RXG	0.0340	RFQ	2100	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	1206 （3216 メトリック）	BZS55		500 MW	1206	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 10 Ma		2 µA @ 1 V									3.3 v	85オーム
1N4747G	0.0627	RFQ	1514	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4747		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-1N4747GTR	ear99	8541.10.0050	5,000																1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 15.2 v									20 v	22オーム
HER1608PT	1.3512	RFQ	9627	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	HER1608	標準		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード		16a	1.7 V @ 8 a	80 ns	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C
SFF2001GHC0G	-	RFQ	3888	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	SFF2001	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns													50 v		975 mV @ 10 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	20a	90pf @ 4V、1MHz
1PGSMA160ZH	0.1156	RFQ	2926	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1PGSMA160		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 121.6 v									160 v	1100オーム
1PGSMC5360	0.3249	RFQ	3138	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-214ab 、mc	1pgsmc		5 W	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-1PGSMC5360TR	ear99	8541.10.0050	3,000																		500 NA @ 19 V									25 v	4オーム
BZY55C4V3 RYG	-	RFQ	6898	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	0805 （2012 メトリック）	BZY55		500 MW	0805	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 10 Ma		1 µA @ 1 V									4.3 v	80オーム
31DF4 A0G	-	RFQ	6616	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	31df4	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns													400 V		1.7 V @ 3 a	35 ns	20 µA @ 400 v	-40°C〜150°C	3a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 15635）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²