画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZD27C56P | 0.2753 | ![]() | 6231 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±7.14% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 43 v | 56 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM2N60SCW RPG | 1.5900 | ![]() | 108 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | TSM2 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-223 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 600ma | 10V | 5OHM @ 600MA 、10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 435 PF @ 25 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C7V5 | 0.0516 | ![]() | 3533 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX84C7V5TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M160Z B0G | - | ![]() | 5543 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M160 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 NA @ 121.6 v | 160 v | 650オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5926 | 0.1689 | ![]() | 9448 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 1PGSMB59 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
S1ALHRFG | - | ![]() | 7108 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1A | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 50 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B51 L0G | 0.0385 | ![]() | 1583 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 38 V | 51 v | 125オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C20 | 0.0287 | ![]() | 5340 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55C20TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF16100H | - | ![]() | 4820 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | ショットキー | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MBRF16100H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 16 a | 300 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70-06 RFG | 0.0453 | ![]() | 4929 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS70 | ショットキー | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA110Z R3G | - | ![]() | 2096 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA110 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1PGSMA110ZR3G | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 83.6 v | 110 v | 450オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
SS13Lラグ | 0.1965 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS13 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 1 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C5V1 | 0.0333 | ![]() | 6058 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C5V1TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 1 V | 5.1 v | 35オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER1606pth | 1.4388 | ![]() | 4321 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HER1606pth | ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mtzj5v6sa | 0.0305 | ![]() | 7645 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj5 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ5V6SATR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 6A05GHB0G | - | ![]() | 7812 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 6A05 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
es1jlhmqg | - | ![]() | 6674 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1J | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS316 RRG | 0.1900 | ![]() | 86 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BAS316 | 標準 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 30 Na @ 25 V | -65°C〜150°C | 250ma | 1.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C39 RHG | 0.0412 | ![]() | 3056 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
BC337-25 B1G | - | ![]() | 5269 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | BC337 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C7V5P M2G | - | ![]() | 7843 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.04% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.45 v | 2オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
ES1BLラグ | 0.2408 | ![]() | 7100 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3J R7G | - | ![]() | 5194 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3J | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.15 V @ 3 a | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFT11G A0G | - | ![]() | 1327 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | SFT11 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF62GHR0G | - | ![]() | 8657 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF62 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 6 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 6a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
1SMA5943 | 0.0944 | ![]() | 9463 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA5943 | 1.5 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 NA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSF10H45C | 2.3600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSF10 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 5a | 480 mV @ 5 a | 500 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
rs2bahr3g | - | ![]() | 6962 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RS2B | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1.5 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C62-G | 0.0424 | ![]() | 6116 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C62-GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER605G A0G | - | ![]() | 4348 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | HER605 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 700 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 6 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 6a | 80pf @ 4V、1MHz |
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