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離散半導体製品（ 15635）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
bat43w	0.0548	RFQ	4378	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	BAT43	ショットキー		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BAT43WTR	ear99	8541.10.0070	6,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													30 V		1 V @ 200 mA	5 ns	500 NA @ 25 V	-55°C〜125°C	200mA	10pf @ 1V、1MHz
BZD27C82P RFG	-	RFQ	1871年	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.09％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 62 v							82 v	200オーム
ES2DV	0.1380	RFQ	5672	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ES2d	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns													200 v		900 mV @ 2 a	20 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	2a	25pf @ 4V、1MHz
BZD17C51PH	0.2790	RFQ	5473	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	SOD-123	BZD17		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZD17C51PHTR	ear99	8541.10.0050	10,000																	1 V @ 200 mA		1 µA @ 39 v							51 v	60オーム
US1G R3G	0.5700	RFQ	2	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	US1g	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns													400 V		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
TSC497CX	0.1607	RFQ	8692	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	TSC497		500 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSC497CXTR			12,000																							300 V	500 Ma	100NA			npn	300MV @ 25MA 、250MA	100 @ 1ma 、10V	75MHz
UGA8120HC0G	-	RFQ	3283	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	UGA8120	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns													1200 v		2.8 V @ 8 a	70 ns	5 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	8a	-
BZX55B12 A0G	-	RFQ	3845	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																	1 V @ 100 MA		100 Na @ 9.1 v							12 v	20オーム
BC337-40-B0 B1	-	RFQ	4768	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			625 MW	to-92	-			影響を受けていない	1801-BC337-40-B0B1	廃止		1																							45 v	800 Ma	100na（icbo）			npn	700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA 、5V	100MHz
1SMA5950HR3G	-	RFQ	2108	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA5950		1.5 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800																			500 NA @ 83.6 v							110 v	300オーム
HS1AL rhg	-	RFQ	9933	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	HS1A	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns													50 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
BC549A A1	-	RFQ	2940	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止		-65°C〜150°C	穴を通して	to-226-3			500 MW	to-92	ダウンロード			影響を受けていない	1801-BC549AA1TB	廃止		1																							30 V	100 Ma	15NA			npn	-	110 @ 2MA 、5V	-
ESH3B R6G	-	RFQ	8935	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc		標準		do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-ash3br6gtr	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns													100 V		900 mV @ 3 a	20 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
BZD27C39P RTG	-	RFQ	8120	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.12％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																	1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 30 V							39 v	40オーム
BZD27C120PHMHG	-	RFQ	6220	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.39％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 91 v							120.5 v	300オーム
1N4448W	0.0276	RFQ	7122	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123F	1N4448	標準		SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-1N4448WTR	ear99	8541.10.0080	9,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													75 v		1 V @ 100 MA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜150°C	150ma	4PF @ 0V、1MHz
TSM085NB03CV	0.5871	RFQ	1476	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERWDFN	TSM085	モスフェット（金属酸化物）		8-PDFN （3.15x3.1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSM085NB03CVTR	ear99	8541.29.0095	10,000			nチャネル	30 V	11a（タタ）、 58a（tc）	4.5V 、10V	8.5mohm @ 11a 、10V	2.5V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±20V	1101 PF @ 15 V	-	1.92W
1SMA4758 R3G	-	RFQ	2781	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA4758		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800																			1 µA @ 42.6 v							56 v	110オーム
ES1JFSH	0.1131	RFQ	6042	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-128		標準		SOD-128	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-es1jfshtr	ear99	8541.10.0080	14,000		高速回復= <500ns													600 V		1.7 V @ 1 a	35 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
bzd27c9v1phmhg	-	RFQ	8081	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.07％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 5 V							9.05 v	4オーム
SFAF506G C0G	-	RFQ	1604	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2フルパック	SFAF506	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns													400 V		1.3 V @ 5 a	35 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	5a	70pf @ 4V、1MHz
SS16L RVG	0.0746	RFQ	1387	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS16	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns													60 V		700 mV @ 1 a		400 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	-
BZT52C13-G	0.0445	RFQ	5136	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C		350 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZT52C13-GTR	ear99	8541.10.0050	6,000																	900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V							13 v	30オーム
M3Z4V7C	0.0294	RFQ	6662	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	M3Z4		200 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-M3Z4V7CTR	ear99	8541.10.0050	6,000																			2 µA @ 1 V							4.7 v	70オーム
tsdglw	0.4100	RFQ	15	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123W		標準		SOD-123W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		標準回復> 500ns													400 V		1 V @ 1 a		1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
TSM6866SDCA	0.7448	RFQ	7221	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	TSM6866	モスフェット（金属酸化物）	1.6W	8-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSM6866SDCATR	ear99	8541.29.0095	12,000	2 nチャネル			20V	6a（ta）		30mohm @ 6a 、4.5V	0.6V @ 250µA	7NC @ 4.5V		565pf @ 8V	標準
SK59B R5G	-	RFQ	5181	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AA、SMB	SK59	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns													90 v		850 mv @ 5 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	5a	-
MBRF25100CTH	-	RFQ	6673	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF25100	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	100 V	25a	920 mv @ 25 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
HER304GH	0.2514	RFQ	9425	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸		標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-HER304GHTR	ear99	8541.10.0080	2,500		高速回復= <500ns													300 V		1 V @ 3 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
2M12ZHB0G	-	RFQ	7256	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	2M12		2 W	DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000																			1 µA @ 9.1 v							12 v	4.5オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 15635）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²