画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSZU52C3V6 | 0.0669 | ![]() | 8531 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSZU52C3V6TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 900 mV @ 10 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 95オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5936HR5G | - | ![]() | 1658 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5936 | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 22.8 v | 30 V | 26オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRAD15100H | 0.9900 | ![]() | 3164 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRAD15100 | ショットキー | Thindpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mV @ 15 a | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 15a | 378pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSZL52C8V2-F0 RWG | - | ![]() | 8200 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | 200 MW | 1005 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TSZL52C8V2-F0RWGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 6 v | 8.2 v | 7オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C22 L1G | - | ![]() | 3092 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF12G A0G | - | ![]() | 3910 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SF12 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2A M4G | - | ![]() | 4565 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | HS2A | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | F1T4G A0g | - | ![]() | 9892 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | F1T4 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR152G R0G | - | ![]() | 6098 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | FR152 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1.5 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
HS1MFS | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | HS1M | 標準 | SOD-128 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSC5303DCHC5G | - | ![]() | 5752 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSC5303 | 30 W | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 400 V | 3 a | 10µA | npn | 700MV @ 100MA 、400MA | 15 @ 1a 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
SS25Lラグ | - | ![]() | 2089 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS25 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 2 a | 400 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B4V7 L0G | 0.0357 | ![]() | 2539 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 500 NA @ 1 V | 4.7 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-16-B0 B1 | - | ![]() | 5258 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92 | - | 影響を受けていない | 1801-BC337-16-B0B1 | 廃止 | 1 | 45 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
HS1ML M2G | - | ![]() | 4404 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | HS1M | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HERF1003G C0G | - | ![]() | 7865 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | HERF1003 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1 V @ 10 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4001GH | 0.0737 | ![]() | 2345 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1N4001GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRA20150 | - | ![]() | 7054 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-sra20150 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.02 V @ 20 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C160P MHG | - | ![]() | 3558 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.55% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 120 v | 162 v | 350オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSF40H100C | 1.7502 | ![]() | 5506 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSF40 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 560 mV @ 20 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM5NC50CZ | 1.2558 | ![]() | 6263 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | TSM5 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM5NC50CZ | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 500 V | 5a(tc) | 10V | 1.38OHM @ 2.5A 、10V | 4.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 586 PF @ 50 V | - | 89W | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1006GHC0G | - | ![]() | 9832 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SFF1006 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 10a (dc) | 1.3 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M150ZHA0G | - | ![]() | 9913 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M150 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 114 v | 150 v | 575オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M190ZHA0G | - | ![]() | 6998 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M190 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 144.8 v | 190 v | 825オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fraf8jgh | 1.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-FRAF8JGH | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 200 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 8a | 54pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3G R7G | 0.4100 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | HS3G | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3K | 0.1516 | ![]() | 8194 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3K | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF507GHC0G | - | ![]() | 6745 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SFF507 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 2.5 a | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4750A B0G | - | ![]() | 2597 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4750 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bat54aw | 0.0466 | ![]() | 4497 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAT54 | ショットキー | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BAT54AWTR | ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 30 V | 200mA | 1 V @ 100 MA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°C |
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