画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SR306 | 0.1619 | ![]() | 1094 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR306 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS36 | 0.1983 | ![]() | 6489 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS36 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S12KC R6G | - | ![]() | 7609 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S12KCR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 12 a | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 12a | 78pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF2004GHC0G | - | ![]() | 3249 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SFF2004 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 20a | 90pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
SS15L RTG | - | ![]() | 9956 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS15 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 1 a | 400 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546C B1 | - | ![]() | 7110 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-BC546CB1 | 廃止 | 1 | 65 v | 100 Ma | 15NA | npn | - | 420 @ 2MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C16P R3G | 0.2625 | ![]() | 8557 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.625% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12 V | 16 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRA16100HC0G | - | ![]() | 4104 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SRA16100 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 920 mv @ 16 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR460 A0G | 1.3900 | ![]() | 628 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | MUR460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 4a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847B RFG | 0.2200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC847 | 200 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSZL52C6V8-F0 RWG | - | ![]() | 5585 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | 200 MW | 1005 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TSZL52C6V8-F0RWGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 3 V | 6.8 v | 8オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C10K RKG | 0.0474 | ![]() | 9475 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM10N06CP ROG | - | ![]() | 9023 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 10a(ta) | 4V 、10V | 65mohm @ 10a 、10V | 3V @ 250µA | 10.5 NC @ 4.5 v | ±20V | 1100 PF @ 30 V | - | 45W | ||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF1601G C0G | - | ![]() | 7260 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF1601 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 16a | 130pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS22 M4G | - | ![]() | 2422 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SS22 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V7S RRG | - | ![]() | 6487 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||
rs1khr3g | - | ![]() | 7783 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | rs1k | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
BZD27C56PW | 0.1092 | ![]() | 7969 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 43 v | 56 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR735 C0G | - | ![]() | 4935 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MBR735 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 35 v | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | 7.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS3A V7G | - | ![]() | 4117 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | RS3A | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 50 v | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4NB65CP ROG | 2.1200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM4NB65 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 650 V | 4a(tc) | 10V | 3.37OHM @ 2A 、10V | 4.5V @ 250µA | 13.46 NC @ 10 V | ±30V | 549 PF @ 25 V | - | 70W | |||||||||||||||||||||
![]() | BZS55C3V6 RXG | 0.0340 | ![]() | 4254 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.6 v | 85オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4N70CH C5G | - | ![]() | 4904 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 700 V | 3.5a | 10V | 3.3OHM @ 2A 、10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 595 PF @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||
1SMA4745 | 0.0935 | ![]() | 4912 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA4745 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C43 L0G | 0.0350 | ![]() | 3139 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 32 v | 43 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B15 A0G | - | ![]() | 7928 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TST30U60C | 1.8492 | ![]() | 5820 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | TST30 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 570 mV @ 15 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF505G C0G | - | ![]() | 1189 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF505 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 5a | 70pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM018NB03CR | 1.8542 | ![]() | 9217 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM018 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM018NB03CRTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 29a | 4.5V 、10V | 1.8mohm @ 29a 、10V | 2.5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 7252 PF @ 15 V | - | 3.1W | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B68 | 0.0375 | ![]() | 6344 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79B68TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 MA | 47.6 MA @ 50 mV | 68 v | 240オーム |
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