画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TS15P07G-K C2G | - | ![]() | 4347 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | TS15P07G-KC2G | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 a | 10 µA @ 1000 v | 15 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP205G C2G | - | ![]() | 8986 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbp | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.2 V @ 2 a | 10 µA @ 600 V | 2 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA4740HR3G | 0.4800 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4740 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS25100CT | 0.8958 | ![]() | 6088 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS25100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS25100CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 25a | 920 mv @ 25 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA4744H | 0.1156 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4744 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF1008GH | 0.6140 | ![]() | 2661 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF1008 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-SF1008GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 10a | 1.7 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B9V1 | 0.0357 | ![]() | 7347 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55B9V1TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 6.8 v | 9.1 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM70N380CP ROG | 6.6600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM70 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 700 V | 11a(tc) | 10V | 380mohm @ 3.3a 、10V | 4V @ 250µA | 18.8 NC @ 10 V | ±30V | 981 PF @ 100 V | - | 125W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | heraf1601g c0g | - | ![]() | 5181 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | heraf1601 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 16a | 150pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ13SC | 0.0305 | ![]() | 2877 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ13 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ13SCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 10 V | 13.33 v | 35オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NC165CI | 5.0046 | ![]() | 7786 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM60NC165CI | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 600 V | 24a(tc) | 10V | 165mohm @ 11.3a 、10V | 5V @ 1MA | 44 NC @ 10 V | ±30V | 1857 PF @ 300 v | - | 89W | |||||||||||||||||||||||||
BZT52C18-G RHG | 0.0445 | ![]() | 3940 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B75 | 0.0357 | ![]() | 4571 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55B75TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 56 v | 75 v | 170オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B11 | 0.0385 | ![]() | 9587 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55B11TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 8.2 v | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UGA15120 | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-uga15120 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 2.9 V @ 15 a | 65 ns | 5 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C33 L1G | - | ![]() | 1997年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4745A | 0.1118 | ![]() | 4143 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4745 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3J R6 | - | ![]() | 4047 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ES3JR6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C11S | 0.0357 | ![]() | 5359 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C11STR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 90 na @ 8 v | 11 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSUP10M60SH S1G | 1.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | tsup10 | ショットキー | SMPC4.6U | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 640 mV @ 10 a | 250 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | 10a | 658pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B51 | 0.0453 | ![]() | 6249 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B51TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR840HC0G | - | ![]() | 1615 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MUR840 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B7V5 | 0.0385 | ![]() | 7713 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55B7V5TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZT52C10-G RHG | 0.0445 | ![]() | 6519 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1560CT | 0.6496 | ![]() | 2360 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1560 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS1560CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 750 mV @ 7.5 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C220P MQG | - | ![]() | 9150 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.68% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 160 v | 220 v | 900オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60N600CP ROG | - | ![]() | 4669 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | カットテープ(CT) | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 8a(tc) | 10V | 600mohm @ 4a 、10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 743 PF @ 100 V | - | 83W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TS10K60-A | 1.8400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、ts4k | TS10K60 | 標準 | TS4K | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 10 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF1007GHC0G | - | ![]() | 2419 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF1007 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 10a | 140pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC547B A1 | - | ![]() | 1117 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-BC547BA1TB | 廃止 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | - | 200 @ 2MA 、5V | - |
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