画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SK810C V7G | - | ![]() | 2890 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK810 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 100 V | 900 mV @ 8 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | BZX84C6V2 RFG | 0.3400 | ![]() | 4004 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | HER1607GH | 0.6715 | ![]() | 6381 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HER1607GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 800 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SS15LH | 0.2235 | ![]() | 1567 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | SS15 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ss15lhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 1 a | 400 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | TSSW3U60H | 0.2676 | ![]() | 3326 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | TSSW3 | ショットキー | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSSW3U60HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 400 mV @ 3 a | 1 MA @ 60 v | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | 1N5400G | - | ![]() | 5868 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 標準 | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1N5400GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 3 a | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 25pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BAS40 | 0.0612 | ![]() | 6518 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS40 | ショットキー | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-bas40tr | ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 Na @ 30 V | -65°C〜125°C | 200mA | 5PF @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | BZT52B39 | 0.0412 | ![]() | 4981 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B39TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | |||||||||||
![]() | 2M20ZHB0G | - | ![]() | 3830 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M20 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 NA @ 15.2 v | 20 v | 11オーム | ||||||||||||
![]() | SF1607PTHC0G | - | ![]() | 3953 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | SF1607 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 16a | 85pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MBRF1545CT-Y | 0.4530 | ![]() | 5216 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF1545 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRF1545CT-Y | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 950 mV @ 15 a | 500 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZT52C4V3K RKG | 0.0474 | ![]() | 8030 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | ||||||||||||
![]() | MBRF10H100CTH | 0.7277 | ![]() | 9290 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF10 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRF10H100CTH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | BZV55C47 | 0.0333 | ![]() | 6034 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C47TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 35 V | 47 v | 110オーム | |||||||||||
ES1BL RFG | - | ![]() | 2163 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 1V、1MHz | ||||||||||
![]() | SF62GHA0G | - | ![]() | 6927 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF62 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 6 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 6a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SR205H | - | ![]() | 7431 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | ショットキー | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SR205H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 2 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||
RS1ALHR3G | - | ![]() | 1951年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1A | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SK82CHR7G | - | ![]() | 9997 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK82 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 8a | - | ||||||||||
HS2MFSH | 0.0790 | ![]() | 3466 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | 標準 | SOD-128 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs2mfshtr | ear99 | 8541.10.0080 | 28,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 2a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBR1035CT | - | ![]() | 9155 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR1035 | ショットキー | TO-220AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MBR1035CT | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 10a (dc) | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | |||||||||
s1klsh | 0.0602 | ![]() | 5365 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | 標準 | SOD-123HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-s1klshtr | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 1.2 a | 5 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 1.2a | - | ||||||||||||
![]() | SRS2040 | 0.6949 | ![]() | 5917 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SRS2040 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-SRS2040TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 20a | 550 mV @ 10 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | ||||||||||
![]() | MBR1560CT-Y | 0.4221 | ![]() | 8098 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR1560 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBR1560ct-y | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 1.05 V @ 15 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | FR306G B0G | - | ![]() | 4193 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | FR306 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 3 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SF2001PT C0G | - | ![]() | 5961 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | SF2001 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.1 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 20a | 175pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | S1DL | 0.0663 | ![]() | 4737 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-S1DLTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | RS5G-T M6G | 0.1407 | ![]() | 9937 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | rs5g | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-RS5G-TM6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 5 a | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 5a | 57PF @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MBRF20H100CTH | 0.6996 | ![]() | 3588 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF20 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRF20H100CTH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 950 mv @ 20 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | TSZL52C3V6-F0 RWG | - | ![]() | 4197 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | 200 MW | 1005 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TSZL52C3V6-F0RWGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 95オーム |
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