画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | bzt52c8v2 rhg | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 630 NA @ 5 V | 8.2 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||
BZD27C160PHM2G | - | ![]() | 9213 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.55% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 120 v | 162 v | 350オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C2V7 L1G | - | ![]() | 4394 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 10 µA @ 1 V | 2.7 v | 85オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3HBHR5G | - | ![]() | 6342 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ES3H | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS26HR5G | - | ![]() | 7836 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SS26 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 2 a | 400 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||
rsfdlhmqg | - | ![]() | 8491 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfdl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SK520C R6G | - | ![]() | 5102 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK520CR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 5 a | 300 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B75 | 0.0375 | ![]() | 5537 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79B75TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 MA | 52.5 MA @ 50 mV | 75 v | 255オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD17C12P | 0.1050 | ![]() | 1195 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.39% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C12PTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 9.1 v | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B9V1ラグ | - | ![]() | 8867 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-BZS55B9V1RAGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 6.8 v | 9.1 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | SF2008GHC0G | - | ![]() | 5150 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF2008 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 10 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 20a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
SS215LHR3G | - | ![]() | 9795 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS215 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 2 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5221B | 0.0437 | ![]() | 3248 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5221 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MMSZ5221BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B22 | 0.0385 | ![]() | 4660 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55B22TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | puad4d | 0.6800 | ![]() | 8886 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 標準 | Thindpak | - | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 920 mv @ 4 a | 25 ns | 2 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 4a | 77pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | UGF1606GHC0G | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | UGF1606 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 16a | 1.25 V @ 8 a | 25 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ39SG R0G | 0.0305 | ![]() | 9186 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj39 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 30 V | 39.87 v | 85オーム | |||||||||||||||||||||||||
BZD27C36PHMHG | - | ![]() | 9667 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.55% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3A V6G | - | ![]() | 8995 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | HS3A | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C13 | 0.0645 | ![]() | 1462 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX85C13TR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 mA | 500 NA @ 10 V | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4937GHB0G | - | ![]() | 2088 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4937 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SF806G C0G | - | ![]() | 2765 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF806 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | mtzj36sc | 0.0305 | ![]() | 7267 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj36 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ36SCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 27 V | 34.27 v | 75オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C62 | 0.0333 | ![]() | 9283 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C62TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 150オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU405 | 1.1900 | ![]() | 529 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU405 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 600 v | 4 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||||||||
rsfdlhrtg | - | ![]() | 6891 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfdl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C43 RHG | 0.0412 | ![]() | 6472 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 30.1 v | 43 v | 150オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM7NC60CF | 1.5053 | ![]() | 5551 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TSM7 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM7NC60CF | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 600 V | 7a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 2A 、10V | 4.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 1169 PF @ 50 V | - | 44.6W | ||||||||||||||||||
![]() | SR320HA0G | - | ![]() | 5495 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR320 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 3 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||
1PGSMA4758HR3G | - | ![]() | 6001 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4758 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム |
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