画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZD27C220P M2G | - | ![]() | 6737 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.66% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 160 v | 220.5 v | 900オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM680P06CP ROG | 1.6100 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM680 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 60 V | 18a(tc) | 4.5V 、10V | 68mohm @ 6a 、10V | 2.2V @ 250µA | 16.4 NC @ 10 V | ±20V | 870 PF @ 30 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | s1mal | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | S1MA | 標準 | sma | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSZL52C3V9-F0 RWG | - | ![]() | 3177 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | 200 MW | 1005 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TSZL52C3V9-F0RWGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 95オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C30 | 0.0287 | ![]() | 1866年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79C30TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S5K | 0.1724 | ![]() | 3395 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S5K | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 5a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SF16G B0G | - | ![]() | 6647 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SF16 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SK54C R6G | - | ![]() | 6092 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK54CR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFS1606G | 0.7671 | ![]() | 6049 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SFS1606 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 16a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SR1630 C0G | - | ![]() | 8433 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SR1630 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 16a | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||
BZD17C18P RQG | - | ![]() | 1465 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.38% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 18 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||
BZD27C43P RFG | - | ![]() | 4209 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.97% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 v | 43 v | 45オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B39 | 0.0305 | ![]() | 3866 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79B39TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 MA | 27.3 MA @ 50 mV | 39 v | 130オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B4V3 | 0.0385 | ![]() | 3171 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55B4V3TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 75オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | M3Z62VC | 0.0294 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | M3Z62 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-M3Z62VCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 Na @ 47 v | 62 v | 150オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C33 L1G | 0.0499 | ![]() | 7478 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B5V6 L1G | - | ![]() | 9056 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 25オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SR002HB0G | - | ![]() | 6152 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SR002 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mV @ 500 Ma | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 500mA | 110pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | RS3MH | 0.1791 | ![]() | 5705 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 3 a | 500 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | M3Z6V2C | 0.0294 | ![]() | 4853 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | M3Z6 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-M3Z6V2CTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC3504M | 3.7599 | ![]() | 8185 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | GBPC35 | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | 4平方、GBPC-M | GBPC3504 | 標準 | GBPC-M | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-GBPC3504M | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 400 V | 35 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SS35H | - | ![]() | 3113 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SS35HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||
rsfklhrvg | - | ![]() | 3828 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfkl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 500 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C8V2 | 0.0350 | ![]() | 1917年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55C8V2TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SRT115 A0G | - | ![]() | 6479 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | SRT115 | ショットキー | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 900 mV @ 1 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSG65N110CE RVG | 15.8300 | ![]() | 9450 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | TSG65 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C51 | 0.0350 | ![]() | 5402 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55C51TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 38 V | 51 v | 125オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C4V7 A0G | - | ![]() | 6924 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 500 NA @ 1 V | 4.7 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C4V3 | 0.0333 | ![]() | 7832 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C4V3TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 75オーム | ||||||||||||||||||||||||
rsfklhmqg | - | ![]() | 6243 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfkl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 500 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz |
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