画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55C22 L1G | - | ![]() | 4273 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
S2DFSH | 0.0683 | ![]() | 2926 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | 標準 | SOD-128 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-S2DFSHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 28,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 2 a | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 2a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mtzj3v0sb r0g | 0.0305 | ![]() | 6239 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj3 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 µA @ 1 V | 3.12 v | 120オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B2V7 | 0.0301 | ![]() | 8669 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55B2V7TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 10 µA @ 1 V | 2.7 v | 85オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C200P RTG | - | ![]() | 5586 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 150 V | 200 v | 750オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1GF-T | 0.1037 | ![]() | 7986 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | 標準 | SMAF | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-RS1GF-TTR | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5362 M6G | - | ![]() | 8074 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5362M6GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 21.2 v | 28 v | 6オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tuas4mh | 0.2121 | ![]() | 5488 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | tuas4 | 標準 | SMPC4.6U | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-tuas4mhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 4a | 28pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS20150CT | 0.7462 | ![]() | 8666 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS20150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS20150CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 1.23 V @ 20 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C11 | 0.0333 | ![]() | 3107 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C11TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 8.2 v | 11 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5929HR5G | 0.6300 | ![]() | 115 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1PGSMB5929 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 11.4 v | 15 V | 9オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ESH3B R6 | - | ![]() | 4439 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ash3br6tr | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5230B A0G | - | ![]() | 7884 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | 100°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5230 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4739G A0g | - | ![]() | 8666 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C(タタ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4739 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B5V6S | 0.0343 | ![]() | 1514 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B5V6STR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 900 NA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mur360sh | 0.2298 | ![]() | 4126 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
SS12L MTG | - | ![]() | 6171 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS12 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 20 v | 450 mV @ 1 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
SS12LHMTG | - | ![]() | 5479 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS12 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 20 v | 450 mV @ 1 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C150PHMTG | - | ![]() | 7284 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.12% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 110 v | 147 v | 300オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KTC3198-BL-M0 B2G | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-KTC3198-BL-M0B2G | 廃止 | 1 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 3000 @ 150ma 、6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4745A B0G | - | ![]() | 8418 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4745 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF5150H | - | ![]() | 3603 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | ショットキー | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SRAF5150H | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 5 a | 200 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSL33H | 0.3351 | ![]() | 2151 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 410 mv @ 3 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M3Z56VC | 0.0294 | ![]() | 3436 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | M3Z56 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-M3Z56VCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 Na @ 42 v | 56 v | 135オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
ES1G R3G | - | ![]() | 8165 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES1G | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 18pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4ND65CI | 2.6800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM4 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 4a(tc) | 10V | 2.6OHM @ 1.2A 、10V | 3.8V @ 250µA | 16.8 NC @ 10 V | ±30V | 596 PF @ 50 V | - | 41.6W | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSM070NH04LCR RLG | 2.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | Perfet™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFNU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 40 v | 15a | 4.5V 、10V | 7mohm @ 27a 、10v | 2.2V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±16V | 1446 PF @ 25 V | - | 46.8W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1DLH | 0.2565 | ![]() | 4041 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-es1dlhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS2060CT | 0.6433 | ![]() | 5237 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS2060 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS2060CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 20a | 950 mv @ 20 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B30 A0G | - | ![]() | 5579 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 MA | 21 MA @ 50 mV | 30 V | 80オーム |
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