画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM4953DCS | 0.6389 | ![]() | 8135 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TSM4953 | モスフェット(金属酸化物) | 2.5W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM4953DCSTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 P-Channel | 30V | 4.9a(ta) | 60mohm @ 4.9a 、10V | 3V @ 250µA | 28NC @ 10V | 745pf @ 15V | 標準 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5222B | 0.0271 | ![]() | 2229 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5222 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N522222BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.5 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4NC60CI C0G | - | ![]() | 3023 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 4a(tc) | 10V | 2.5OHM @ 1.3A 、10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±30V | 654 PF @ 50 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2A02G B0G | - | ![]() | 4749 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2A02 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SF37GH | - | ![]() | 2766 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 標準 | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SF37GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C2V4 L1G | - | ![]() | 2900 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 85オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SR1060 | 0.4632 | ![]() | 2465 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SR1060 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C8V2 | 0.0511 | ![]() | 9511 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.1% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX84C8V2TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C3V9 A0G | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 10 mA | 20 µA @ 1 V | 3.9 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||
BZT52C2V7-G | 0.0445 | ![]() | 5205 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C2V7-GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM6502CR | 1.0450 | ![]() | 8870 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM6502 | モスフェット(金属酸化物) | 40W | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM6502CRTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nおよびpチャネル | 60V | 24a(tc | 34mohm @ 5.4a | 2.5V @ 250µA | 10.3NC @ 4.5V 、9.5NC @ 4.5V | 1159pf @ 30V 、930pf @ 30V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR20H150CT | 1.6400 | ![]() | 543 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 970 mV @ 20 a | 5 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HER1608G | 0.6177 | ![]() | 5480 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | HER1608 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 16a | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SSL32 M6 | - | ![]() | 7109 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SSL32M6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 410 mv @ 3 a | 200 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S3J R6G | - | ![]() | 6445 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S3JR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SK52C R7G | - | ![]() | 4982 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK52 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RS2DFL | 0.0888 | ![]() | 2492 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-rs2dfltr | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 16pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
BZD17C13P RFG | - | ![]() | 2315 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.53% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 2 µA @ 10 V | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS8P02G D2G | - | ![]() | 9688 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS8P02 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 100 V | 8 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | bav19w | 0.0474 | ![]() | 4592 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | bav19 | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-bav19wtr | ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 250 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSM5ND50CI | 1.2259 | ![]() | 6096 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | TSM5 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM5ND50CI | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 500 V | 5a(tc) | 1.5OHM @ 1.6A 、10V | 3.8V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 603 PF @ 50 V | - | 42W | ||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B5V6 L0G | 0.0357 | ![]() | 2016年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | mtzj2v0sa r0g | 0.0305 | ![]() | 7924 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj2 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 120 µA @ 500 mV | 1.99 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD17C220PH | 0.5588 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C220PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 160 v | 220 v | 900オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S5B | 0.2997 | ![]() | 8498 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S5BTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.15 V @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B11S | 0.0343 | ![]() | 6727 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B11STR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 90 na @ 8 v | 11 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSZL52C7V5 RWG | - | ![]() | 4535 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | TSZL52 | 200 MW | 1005 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 7オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4933GHB0G | - | ![]() | 8127 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4933 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5955HR5G | - | ![]() | 5370 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5955 | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 136.8 v | 180 v | 900オーム | ||||||||||||||||||||||||||
BZT52C4V3-G RHG | 0.0445 | ![]() | 7786 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム |
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