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離散半導体製品（ 15635）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N4741G A0g	-	RFQ	5335	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C（タタ	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4741		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 16.7 v						11 v	23オーム
UGF2006GH	0.6996	RFQ	3347	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	UGF2006	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-UGF2006GH	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	400 V	20a	1.25 V @ 10 a	20 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C
UG2004PTHC0G	-	RFQ	8322	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	UG2004	標準		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	200 v	20a	930 mv @ 10 a	25 ns	200 µA @ 200 V	-55°C〜175°C
BZT52B16-G	0.0461	RFQ	5336	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZT52B16-GTR	ear99	8541.10.0050	6,000																900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 11.2 v						16 v	40オーム
BZX55C62	0.0305	RFQ	4587	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZX55C62TR	ear99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 100 MA		100 Na @ 47 v						62 v	150オーム
HS2B R5G	-	RFQ	4846	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AA、SMB	HS2B	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns													100 V		1 V @ 2 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	50pf @ 4V、1MHz
1SMA4756	0.0935	RFQ	4641	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA4756		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																		1 µA @ 35.8 v						47 v	80オーム
FR154G	0.0795	RFQ	5135	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	FR154	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns													400 V		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz
BZV55B30	0.0357	RFQ	3993	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZV55B		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZV55B30TR	ear99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 100 MA		100 na @ 22 v						30 V	80オーム
BZD27C22PHMTG	-	RFQ	2606	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.66％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 16 V						22.05 v	15オーム
sras8150hmng	-	RFQ	8760	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	SRAS8150	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns													150 v		950 mv @ 8 a		100 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	8a	-
1PGSMC5367 M6G	-	RFQ	3032	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-214ab 、mc	1pgsmc		5 W	do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-1PGSMC5367M6GTR	ear99	8541.10.0050	3,000																		500 NA @ 32.7 v						43 v	20オーム
HS2MAL	0.3900	RFQ	1	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	HS2M	標準		sma	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns													1000 V		1.7 V @ 2 a	75 ns	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	2a	12pf @ 4V、1MHz
HSMLWH	0.0906	RFQ	8945	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123W		標準		SOD-123W	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-hsmlwhtr	ear99	8541.10.0080	20,000	高速回復= <500ns													1000 V		1.7 V @ 800 Ma	75 ns	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	800mA	5PF @ 4V、1MHz
MBR2545CT-Y	0.6949	RFQ	6585	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR2545	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MBR2545ct-y	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	45 v	25a	820 mv @ 25 a		200 µA @ 45 V	-55°C〜150°C
HS2DFSH	0.1242	RFQ	9917	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-128		標準		SOD-128	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-hs2dfshtr	ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns													200 v		1 V @ 2 a	50 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	2a	32pf @ 4V、1MHz
s1glhrtg	-	RFQ	1161	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	S1G	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns													400 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	9pf @ 4V、1MHz
SRAF550	-	RFQ	2594	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック		ショットキー		ITO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-SRAF550	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns													50 v		700 mV @ 5 a		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	5a	-
SS16lhrug	-	RFQ	6554	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS16	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns													60 V		700 mV @ 1 a		400 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	-
DBL156GH	0.2874	RFQ	2193	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-dip （0.300 "、7.62mm）	DBL156	標準		dbl	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 1.5 a		2 µA @ 800 V		1.5 a		単相	800 V
BZV55B15	0.0504	RFQ	2405	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZV55B		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZV55B15TR	ear99	8541.10.0050	2,500																1 V @ 100 MA		100 na @ 11 v						15 V	30オーム
TSM60NB041PW C1G	28.2500	RFQ	2	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	TSM60	モスフェット（金属酸化物）		TO-247	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25		nチャネル	600 V	78a（tc）	10V	41mohm @ 21.7a 、10V	4V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 100 V	-	446W
HER202G R0G	-	RFQ	4982	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	HER202	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns													100 V		1 V @ 2 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	35pf @ 4V、1MHz
SS210LHMQG	-	RFQ	7780	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS210	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns													100 V		850 mV @ 2 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	-
BZT52C18 RHG	0.0412	RFQ	7356	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123F	BZT52C		500 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 10 mA		45 Na @ 12.6 v						18 v	45オーム
BZT52B3V3S RRG	-	RFQ	8600	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 10 mA		4.5 µA @ 1 V						3.3 v	95オーム
1N5255B	0.0277	RFQ	5089	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	200°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5255		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-1N5255BTR	ear99	8541.10.0050	10,000																1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 21 V						28 v	44オーム
mur4l60 b0g	-	RFQ	8700	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	mur4l60	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns													600 V		1.28 V @ 4 a	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	4a	65pf @ 4V、1MHz
SR005HB0G	-	RFQ	2899	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SR005	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1,000	高速回復= <500ns													50 v		700 mV @ 500 Ma		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	500mA	80pf @ 4V、1MHz
SS215LHRVG	0.3210	RFQ	3910	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS215	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns													150 v		850 mV @ 2 a		100 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	2a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 15635）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²