画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S3A V6G | - | ![]() | 2077 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3a | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER207G A0G | - | ![]() | 3687 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | HER207 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
RS1AL R3G | 0.1614 | ![]() | 5116 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1A | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C47 | 0.0794 | ![]() | 6644 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-AZ23C47TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 35 V | 47 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRAD8200H | 0.7700 | ![]() | 7857 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRAD8200 | ショットキー | Thindpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 8 a | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | 125pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav21w rhg | 0.3100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | bav21 | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 250 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | -65°C〜150°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C30 | 0.0333 | ![]() | 2739 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C30TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C82P RQG | - | ![]() | 2957 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.09% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 62 v | 82 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C4V7 L0G | 0.0350 | ![]() | 1784 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 500 NA @ 1 V | 4.7 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
ES2JA R3G | 0.7700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES2J | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | heraf1008g | - | ![]() | 8344 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-heraf1008g | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 10 a | 80 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 10a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFA1006G | - | ![]() | 2239 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SFA1006G | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 10a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
1SMA5927HR3G | - | ![]() | 1089 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA5927 | 1.5 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 500 NA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR16150HC0G | - | ![]() | 5266 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | MBR16150 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 16 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 16a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF31GHA0G | - | ![]() | 2011年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF31 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S12MC R7 | - | ![]() | 7925 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S12MCR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 12 a | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 12a | 78pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HT18G A1G | - | ![]() | 5928 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | sicで中止されました | 穴を通して | T-18 、軸 | HT18 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR310S | 0.2139 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR310 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UGF2008G | 0.6433 | ![]() | 5490 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | UGF2008 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 25 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C15P M2G | - | ![]() | 8736 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.12% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11 v | 14.7 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
TSM033NB04CR RLG | 2.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM033 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 21a(ta )、121a(tc) | 10V | 3.3mohm @ 21a 、10V | 4V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | ±20V | 5022 PF @ 20 V | - | 3.1w | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF1004G | 0.8672 | ![]() | 5175 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF1004 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 10a | 170pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRF10150H | 0.7277 | ![]() | 3417 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SRF10150 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-SRF10150H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 1 V @ 5 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK515C R6 | - | ![]() | 7469 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK515CR6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 5 a | 300 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548A B1 | - | ![]() | 9494 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-BC548AB1 | 廃止 | 1 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | - | 110 @ 2MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF745HC0G | - | ![]() | 3653 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | MBRF745 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 7.5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4752G | 0.0627 | ![]() | 4175 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4752 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N4752GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B33 L1G | - | ![]() | 3216 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF5100 C0G | - | ![]() | 3780 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF5100 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 5 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5236B | 0.0433 | ![]() | 6485 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5236 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MMSZ5236BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫