画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SF803G C0G | - | ![]() | 8233 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF803 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 150 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 8a | 70pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC338-25 A1G | - | ![]() | 7385 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | BC338 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C8V2P MQG | - | ![]() | 9632 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.09% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 8.2 v | 2オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ18SB R0G | 0.0305 | ![]() | 4623 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj18 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 13 V | 17.26 v | 45オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C91P RVG | - | ![]() | 2063 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.07% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 68 v | 90.5 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mur420ha0g | - | ![]() | 1980年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | MUR420 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 890 mV @ 4 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 4a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C2V7 RFG | 0.0511 | ![]() | 5210 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC338-40-B0 A1G | - | ![]() | 2708 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-BC338-40-B0A1GTB | 廃止 | 1 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS21W RVG | 0.0498 | ![]() | 2749 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAS21 | 標準 | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 250 v | 1.25 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 Na @ 250 V | -55°C〜150°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM240N03CX RFG | 0.9000 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | TSM240 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 6.5a(tc) | 4.5V 、10V | 24mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 250µA | 4.1 NC @ 4.5 v | ±20V | 345 PF @ 25 V | - | 1.56W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B47 L0G | 0.0357 | ![]() | 9738 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 35 V | 47 v | 110オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2007GHC0G | - | ![]() | 9554 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF2007 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 20a | 150pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C7V5PHRFG | - | ![]() | 8090 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.04% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.45 v | 2オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B36 RHG | 0.0412 | ![]() | 1014 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER102G A0G | 0.5600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | HER102 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSL33 M6 | - | ![]() | 1722 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SSL33M6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 410 mv @ 3 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C5V6 A0G | - | ![]() | 2649 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 MA | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C47 L1G | - | ![]() | 6885 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 35 V | 47 v | 110オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B4V7ラグ | - | ![]() | 2882 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-BZS55B4V7RAGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 500 NA @ 1 V | 4.7 v | 70オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V4 | 0.0412 | ![]() | 1283 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C2V4TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10H150CTH | 0.6304 | ![]() | 1816年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR10 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBR10H150CTH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 970 mV @ 10 a | 5 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4758G R0G | 0.0627 | ![]() | 2235 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C(タタ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4758 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFA808GHC0G | - | ![]() | 7537 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SFA808 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C43 A0G | - | ![]() | 6468 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 32 v | 43 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B22 RHG | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR206G B0G | - | ![]() | 3701 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | FR206 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 2 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 2a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR16100pth | - | ![]() | 9293 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-247-3 | SR16100 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 16a | 900 mV @ 8 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
SS310L RTG | - | ![]() | 7876 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS310 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS20P07G | - | ![]() | 7459 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS20P07 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 1000 v | 20 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
bzt52b3v9-g rhg | 0.0461 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム |
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