画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRF30L120CTHC0G | - | ![]() | 7639 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF30 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 30a | 950 mV @ 30 a | 20 mA @ 120 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF28GHB0G | - | ![]() | 1734 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SF28 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
rs1blhm2g | - | ![]() | 8439 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU601G T0 | - | ![]() | 5433 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | KBU601 | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | KBU601GT0 | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 50 V | 6 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mtzj6v2sc r0g | 0.0305 | ![]() | 3402 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj6 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 3 V | 6.28 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C82PHR3G | 0.2933 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.09% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 62 v | 82 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4743A A0g | - | ![]() | 1143 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4743 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 29.7 v | 13 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
TSSE3U60 RVG | 0.8700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | TSSE3 | ショットキー | SOD-123HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 580 mV @ 3 a | 1 MA @ 60 v | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
RSFAL RQG | - | ![]() | 8740 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfal | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1T3G R0G | - | ![]() | 4058 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | T-18 、軸 | 1T3G | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR005HR0G | - | ![]() | 8441 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SR005 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 500 Ma | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 500mA | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5928HR5G | - | ![]() | 9804 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5928 | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 9.9 v | 13 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
bzd27c7v5p rhg | - | ![]() | 5247 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.04% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.45 v | 2オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU604H | 0.7051 | ![]() | 7852 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | GBU604 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-GBU604H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 400 V | 6 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C18P RTG | - | ![]() | 7782 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.38% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 18 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mur440 A0g | - | ![]() | 9626 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | MUR440 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 4a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3J M6G | - | ![]() | 2163 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3J | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C180PHR3G | - | ![]() | 7917 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.4% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 130 v | 179.5 v | 450オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM680P06CZ C0G | - | ![]() | 4105 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | TSM680P06CZC0G | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | pチャネル | 60 V | 18a(tc) | 4.5V 、10V | 68mohm @ 6a 、10V | 2.2V @ 250µA | 16.4 NC @ 10 V | ±20V | 870 PF @ 30 V | - | 42W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S4D M6G | - | ![]() | 4736 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S4D | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 4 a | 1.5 µs | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
TSM280NB06LCR RLG | 1.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powerldfn | TSM280 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5.2x5.75) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 7a(ta )、28a(tc) | 4.5V 、10V | 28mohm @ 7a 、10V | 2.5V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±20V | 969 PF @ 30 V | - | 3.1W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C9V1 R0G | 0.0645 | ![]() | 3265 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 mA | 1 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 5オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS36 R6 | - | ![]() | 1494 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SS36R6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-04 RFG | 0.0581 | ![]() | 5770 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS40 | ショットキー | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 40 v | 200mA | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 Na @ 30 V | -65°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8GCHR7G | - | ![]() | 8906 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S8GC | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 400 V | 985 mV @ 8 a | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZT52B20-G RHG | 0.0461 | ![]() | 7331 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC338-40 B1 | - | ![]() | 6103 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92 | - | 影響を受けていない | 1801-BC338-40B1 | 廃止 | 1 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4747AHA0G | - | ![]() | 8164 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4747 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPMR6J | 0.2799 | ![]() | 9394 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TPMR6 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TPMR6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 6 a | 40 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C22PHRQG | - | ![]() | 5716 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.66% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16 V | 22.05 v | 15オーム |
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