画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT55B68 L1G | - | ![]() | 8978 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 51 v | 68 v | 160オーム | ||||||||||||
![]() | udzs4v3b rrg | 0.0416 | ![]() | 2007年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | udzs4 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2.7 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | S8KC | 0.1897 | ![]() | 4050 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S8KC | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZV55B56 | 0.0504 | ![]() | 8001 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55B56TR | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 42 v | 56 v | 135オーム | ||||||||||||
![]() | MMSZ5250B | 0.0433 | ![]() | 3087 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5250 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MMSZ5250BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム | ||||||||||||
![]() | F1T1GH | - | ![]() | 2307 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | 標準 | TS-1 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-F1T1GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
SS12LSH | 0.0972 | ![]() | 8207 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | SS12 | ショットキー | SOD-123HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ss12lshtr | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 450 mV @ 1 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | HER206G A0G | - | ![]() | 6414 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | HER206 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SK520CH | 0.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 5 a | 300 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||
BZD27C68PHRFG | - | ![]() | 2165 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 v | 68 v | 80オーム | |||||||||||||
BZT52C2V7-G RHG | 0.0445 | ![]() | 7437 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | MTZJ12SC R0G | 0.0305 | ![]() | 6509 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj12 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 9 V | 12.05 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | BZT52B62S | 0.0385 | ![]() | 3625 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B62STR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | ||||||||||||
![]() | SFF1003GAHC0G | - | ![]() | 4822 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SFF1003 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 150 v | 10a (dc) | 975 mV @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MTZJ12SB R0G | 0.0305 | ![]() | 6497 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj12 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 9 V | 11.74 v | 30オーム | |||||||||||||
S15GLW | 0.0597 | ![]() | 6910 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-S15GLWTR | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1.5 a | 1 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1.5a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
TSN525M60 S3G | 1.0331 | ![]() | 7719 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powerldfn | TSN525 | ショットキー | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 630 mv @ 25 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 25a | - | ||||||||||||
1SMA5946HM2G | - | ![]() | 8846 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA5946 | 1.5 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 NA @ 56 v | 75 v | 140オーム | ||||||||||||||
![]() | 2A02G | - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-2A02GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | S12JC R7 | - | ![]() | 4446 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S12JCR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 12 a | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 12a | 78pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | HERA807G C0G | - | ![]() | 6752 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | hera807 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | udzs33b | 0.0354 | ![]() | 2404 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | UDZS33 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-DZS33BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 45 Na @ 25 V | 33 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | rs3jh | 0.1756 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 3 a | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | AZ23C18 | 0.0786 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-AZ23C18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 14 V | 18 v | 50オーム | ||||||||||||
![]() | AZ23C9V1 | 0.0786 | ![]() | 2010年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-AZ23C9V1TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||
![]() | ug8jh | - | ![]() | 4862 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ug8jh | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.9 V @ 8 a | 25 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | rsfblh | 0.1815 | ![]() | 6381 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-rsfblhtr | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | puup6j | 0.6900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | プウップ | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 6 a | 26 ns | 2 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 6a | 48pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZT52B12 | 0.0412 | ![]() | 4935 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B12TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 90 na @ 8 v | 12 v | 25オーム | ||||||||||||
BZD17C43P M2G | - | ![]() | 8221 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.97% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 v | 43 v | 45オーム |
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