画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | ciss )( max @ vds | フェット機能 | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SR1630HC0G | - | ![]() | 7235 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SR1630 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 16a | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | ||||||||||||||||||
ES1BL M2G | - | ![]() | 4136 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MUR340S | 0.2299 | ![]() | 2787 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR340 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||||||
![]() | HER601G B0G | - | ![]() | 9546 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | HER601 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 6a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
rs1jlhrug | - | ![]() | 3163 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1J | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 800 Ma | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | HER601G A0G | - | ![]() | 9364 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | HER601 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 700 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 6a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | TSM110NB04DCR RLG | 2.6000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜155°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM110 | モスフェット(金属酸化物) | 2W (TA )、48W | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 40V | 10a(タタ)、48a(tc) | 11mohm @ 10a 、10v | 4V @ 250µA | 25NC @ 10V | 1506pf @ 20V | - | |||||||||||||||
![]() | bzx79b5v1 a0g | - | ![]() | 6351 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 MA | 2 ma @ 2 v | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||||||||
![]() | HS1BFL | 0.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | HS1B | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 11pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | BZT52C75 RHG | 0.3000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 52.5 v | 75 v | 255オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 6a10g | 0.3780 | ![]() | 4394 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 6A10 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84C11 | 0.0511 | ![]() | 8736 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.45% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX84C11TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | |||||||||||||||||||
![]() | SS32 V6G | - | ![]() | 7758 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS32 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 3a | - | |||||||||||||||||||
![]() | uf1ghb0g | - | ![]() | 6844 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | uf1g | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
ES1HM2G | - | ![]() | 6164 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES1H | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 1a | 16pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | S3MHM6G | - | ![]() | 1865年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3M | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
SS14HR3G | - | ![]() | 8532 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS14 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||||||
![]() | HS2A R5G | - | ![]() | 1943年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | HS2A | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
S1GLH | 0.0705 | ![]() | 9695 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | DO-219AB | S1G | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
SS19LHRHG | - | ![]() | 9095 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS19 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 800 mV @ 1 a | 50 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||
![]() | SR210 | 0.1038 | ![]() | 1045 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SR210 | ショットキー | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5953 R5G | - | ![]() | 4953 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5953 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 114 v | 150 v | 600オーム | ||||||||||||||||||||
SS29LHRTG | - | ![]() | 9908 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS29 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||||
![]() | uf1dhb0g | - | ![]() | 9853 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | uf1d | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
SS15 M2G | - | ![]() | 4941 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS15 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 750 mv @ 1 a | 200 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||
![]() | HS2D | 0.1207 | ![]() | 6513 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | HS2D | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N5400GHB0G | - | ![]() | 8612 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 1N5400 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 3 a | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 25pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | SRT13 A0G | - | ![]() | 9581 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | SRT13 | ショットキー | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mV @ 1 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR2045PT C0G | - | ![]() | 1773 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | MBR2045 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 840 mV @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||
![]() | HERA801G C0G | - | ![]() | 9098 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | hera801 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | 65pf @ 4V、1MHz |
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