画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZD27C200P MHG | - | ![]() | 9768 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 150 V | 200 v | 750オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5951H | 0.1545 | ![]() | 1571 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5951 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 91.2 v | 120 v | 360オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2004G | - | ![]() | 8079 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SFAF2004G | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 20a | 170pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30200PTHC0G | - | ![]() | 7663 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | MBR30200 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 1.1 V @ 30 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC1508W | 3.1618 | ![]() | 3134 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | GBPC15 | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC1508 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-GBPC1508W | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 7.5 a | 5 µA @ 800 V | 15 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tuau8dh | 0.3108 | ![]() | 6960 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | Tuau8 | 標準 | SMPC4.6U | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-tuau8dhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 8 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 8a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5224B | 0.0271 | ![]() | 2867 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5224 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N5224BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2.8 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzy55b2v7 Ryg | - | ![]() | 9266 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 2.7 v | 85オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSD2150acy RMG | - | ![]() | 6148 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 600 MW | SOT-89 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TSD2150ACYRMGTR | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 v | 3 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 200MA 、2a | 200 @ 500MA 、2V | 90MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5363 | 0.8400 | ![]() | 5484 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 22.8 v | 30 V | 8オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B11 | 0.0639 | ![]() | 4994 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX584B11TR | ear99 | 8541.10.0050 | 104,000 | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4007 B0G | - | ![]() | 6402 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF4007 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B6V8S RRG | - | ![]() | 5746 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 1.8 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N914BW | 0.0272 | ![]() | 6338 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | 1N914 | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N914BWTR | ear99 | 8541.10.0080 | 18,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | 150ma | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B3V9 | 0.0790 | ![]() | 3063 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX584B3V9TR | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hera803g | - | ![]() | 4539 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-hera803g | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5259B RHG | 0.0433 | ![]() | 2904 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5259 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
ES1FLラグ | 0.2408 | ![]() | 2153 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1F | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | 8PF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ30SC R0G | 0.0305 | ![]() | 5550 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj30 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 23 v | 29.09 v | 55オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFA803G C0G | - | ![]() | 5734 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SFA803 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 150 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 8a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4743G | 0.0627 | ![]() | 8291 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4743 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N4743GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mtzj20sd | 0.0305 | ![]() | 1668 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj20 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ20SDTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 15 V | 20.22 v | 55オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C15K | 0.0474 | ![]() | 7721 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C15KTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5355 | 0.3249 | ![]() | 1854年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5355TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 3オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM80N950CH C5G | 2.7212 | ![]() | 1602 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM80 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 800 V | 6a(tc) | 10V | 950mohm @ 3a 、10V | 4V @ 250µA | 19.6 NC @ 10 V | ±30V | 691 PF @ 100 V | - | 110W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C68 | 0.0453 | ![]() | 8701 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C68TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
S1JLHR3G | - | ![]() | 6059 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1J | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF2005pth | 1.4290 | ![]() | 9372 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | SF2005 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.5 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 20a | 175pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA4744 R3G | - | ![]() | 5384 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4744 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSN525M60H | 1.2098 | ![]() | 1816年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powerldfn | TSN525 | ショットキー | 8-PDFN (5.2x5.7) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSN525M60HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 630 mv @ 25 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 25a | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫