画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | hera808g | 1.7500 | ![]() | 953 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | hera808 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
SS34LHRFG | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS34 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C220PHMQG | - | ![]() | 5877 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.66% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 160 v | 220.5 v | 900オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KTC3198-y a1g | - | ![]() | 7037 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | KTC3198 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 70 @ 2MA 、6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8KC R7G | - | ![]() | 2236 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S8KC | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 800 V | 985 mV @ 8 a | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3DV M6G | - | ![]() | 1110 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3D | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B11S RRG | - | ![]() | 1278 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 90 na @ 8 v | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C6V2 | 0.0786 | ![]() | 7017 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-AZ23C6V2TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 2 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4732A L0G | 0.0830 | ![]() | 2385 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C (TJ) | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | ZM4732 | 1 W | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM260P02CX6 RFG | 1.3100 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6 | TSM260 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-26 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 6.5a(tc) | 1.8V 、4.5V | 26mohm @ 5a 、4.5V | 1V @ 250µA | 19.5 NC @ 4.5 v | ±10V | 1670 PF @ 15 V | - | 1.56W | ||||||||||||||||||||||
![]() | TST20L100CW | 2.1000 | ![]() | 884 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | TST20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 840 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3A V6G | - | ![]() | 2077 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3a | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR502 R0G | - | ![]() | 8236 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR502 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C4V7 L0G | 0.0350 | ![]() | 1784 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 500 NA @ 1 V | 4.7 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
SS22LHRHG | - | ![]() | 2103 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS22 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF44GHB0G | - | ![]() | 2666 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF44 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 4a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF25G | 0.1159 | ![]() | 2492 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SF25 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
RS1DH | 0.0712 | ![]() | 1646 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RS1D | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
SS14L rhg | - | ![]() | 1866年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS14 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 1 a | 400 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
1SMA5944H | 0.0995 | ![]() | 2692 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA5944 | 1.5 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 NA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER207G A0G | - | ![]() | 3687 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | HER207 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C47 | 0.0794 | ![]() | 6644 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-AZ23C47TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 35 V | 47 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C100PHRVG | 0.1094 | ![]() | 3269 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C11P RVG | - | ![]() | 4088 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.45% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 4 µA @ 8.2 v | 11 v | 7オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
ES2JA R3G | 0.7700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES2J | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRAD8200H | 0.7700 | ![]() | 7857 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRAD8200 | ショットキー | Thindpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 8 a | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | 125pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4761AHB0G | - | ![]() | 5503 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4761 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 56 v | 75 v | 175オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRA1060 C0G | - | ![]() | 3815 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | SRA1060 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 10 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav21w rhg | 0.3100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | bav21 | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 250 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | -65°C〜150°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
BZD17C15P M2G | - | ![]() | 1979年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11 v | 15 V | 10オーム |
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