画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S8JC V7G | 0.9600 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S8JC | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 600 V | 985 mV @ 8 a | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | M3Z3V6C | 0.0294 | ![]() | 4606 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | M3Z3 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-M3Z3V6CTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 85オーム | |||||||||||||||||
s1blhrtg | - | ![]() | 9643 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | SFA1004GHC0G | - | ![]() | 2063 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SFA1004 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 10a | 70pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | TSPB5H100S | 0.9900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TSPB5 | ショットキー | SMPC4.0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 660 mV @ 5 a | 150 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||
![]() | SS22H | - | ![]() | 5899 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ショットキー | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ss22htr | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 2a | - | |||||||||||||||
![]() | mtzj5v6sa r0g | 0.0305 | ![]() | 9297 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj5 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 2.5 v | 5.42 v | 60オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZX55B3V9 | 0.0301 | ![]() | 9243 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55B3V9TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 85オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N4936GH | 0.0613 | ![]() | 7415 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4936 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | BC847A | 0.0334 | ![]() | 1748 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC847 | 200 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BC847ATR | ear99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 45 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | heraf1005g | - | ![]() | 2327 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-heraf1005g | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 10 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 10a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | MBR1645H | - | ![]() | 5131 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MBR1645H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 630 mv @ 16 a | 500 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 16a | - | |||||||||||||||
ES1FLラグ | 0.2408 | ![]() | 2153 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1F | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | 8PF @ 1V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | SFA803G C0G | - | ![]() | 5734 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SFA803 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 150 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 8a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | BZT52C15K | 0.0474 | ![]() | 7721 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C15KTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZX584B3V9 | 0.0790 | ![]() | 3063 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX584B3V9TR | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N4007GH | 0.0511 | ![]() | 7708 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4007 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N4743G | 0.0627 | ![]() | 8291 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4743 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N4743GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ5259B RHG | 0.0433 | ![]() | 2904 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5259 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80オーム | |||||||||||||||||
![]() | mtzj20sd | 0.0305 | ![]() | 1668 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj20 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ20SDTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 15 V | 20.22 v | 55オーム | |||||||||||||||||
![]() | hera803g | - | ![]() | 4539 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-hera803g | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | 65pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | SK810CHM6G | - | ![]() | 5591 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK810 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 900 mV @ 8 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||||
![]() | BC848C | 0.0337 | ![]() | 9340 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BC848CTR | ear99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 30 V | 100 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | BZD27C36P | 0.1101 | ![]() | 9990 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.56% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD27C36PTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム | ||||||||||||||||
![]() | SF61GHR0G | - | ![]() | 5878 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF61 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 6 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 6a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | rs3g | 0.1648 | ![]() | 6348 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | rs3g | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||
![]() | SRA10100 | - | ![]() | 7679 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SRA10100 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||||
BZD27C100PHMQG | - | ![]() | 9280 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム | |||||||||||||||||
BZD27C120P RHG | - | ![]() | 4900 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.39% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 v | 120.5 v | 300オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZD17C36PH | 0.2790 | ![]() | 9162 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C36PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム |
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