RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（ 1253）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRG4BC30KDPBF	-	RFQ	4960	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	標準		100 W	TO-220AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		480v											42 ns	-	600 V	28 a	56 a	2.7V @ 15V 、16a	600µJ （580µj （オフ）	67 NC	60ns/160ns
IRG8P40N120KDPBF	5.1400	RFQ	7	国際整流器	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-247-3	標準		305 W	TO-247AC	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		600V 、25a 、10ohm15V											80 ns	-	1200 v	60 a	75 a	2V @ 15V、25a	1.6MJ	240 NC	40ns/245ns
auirfr48z	-	RFQ	2017年	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		55 v	42a	10V	11mohm @ 37a 、10V	4V @ 50µA	60 NC @ 10 V	±20V	1720 pf @ 25 v	-	91W
IRGS6B60KDPBF	-	RFQ	8634	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	標準		90 w	d2pak	-				2156-IRGS6B60KDPBF			1		400V、5a 、100OHM、15V											70 ns	npt	600 V	13 a	26 a	2.2V @ 15V 、5a	110µj（オン）、135µj （オフ）	18.2 NC	25ns/215ns
IRG4PC30FPBF	1.8800	RFQ	1	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	標準		100 W	TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		480V 、17a 、23ohm15V												-	600 V	31 a	120 a	1.8V @ 15V 、17a	230µj（on.1.18mj （オフ）	77 NC	21ns/200ns
IRG4PH30KDPBF	-	RFQ	7345	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	標準		100 W	TO-247AC	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		800V 、10A 、23OHM、15V											50 ns	-	1200 v	20 a	40 a	4.2V @ 15V 、10a	950µj（on.1.15mj （オフ）	53 NC	39ns/220ns
IRGS10B60KDPBF	-	RFQ	6256	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	標準		156 W	d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		400V 、10A 、47OHM、15V											90 ns	-	600 V	35 a	44 a	2.2V @ 15V 、10A	140µj（オン）、250µJ	38 NC	30NS/230NS
IRGS4630dpbf	1.0000	RFQ	5550	国際整流器	-	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	標準		206 w	PG-to263-3-2	ダウンロード	適用できない				ear99	8541.29.0095	50		400V、 18a											100 ns	-	600 V	47 a	54 a	1.95V @ 15V 、18a	95µj（on 350µj （オフ）	35 NC	40ns/105ns
IRG4PH40KDPBF	-	RFQ	4682	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	標準		160 W	TO-247AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		800V、15A 、10OHM 、15V											63 ns	-	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V、15a	1.31MJ	140 NC	50ns/96ns
auirf1010ezs	-	RFQ	5742	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		60 V	75a（tc）	10V	8.5mohm @ 51a 、10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 pf @ 25 v	-	140W
IRLU8729-701PBF	0.3200	RFQ	2	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3		モスフェット（金属酸化物）		PGから251-3-21	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	944	nチャネル		30 V	58a		8.9mohm @ 25a 、10V	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 v	±20V	1350 PF @ 15 V	-	55W （TC）
IRFS5615TRLPBF	-	RFQ	4989	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		150 v	33a	10V	42mohm @ 21a 、10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 PF @ 50 V	-	144W
auirf2804s	-	RFQ	5701	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		40 v	195a（tc）	10V	2mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 PF @ 25 V	-	300W （TC）
auirf1324s	2.0900	RFQ	9	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		24 v	195a（tc）	10V	1.65mohm @ 195a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7590 PF @ 24 V	-	300W （TC）
IRF7805TRPBF	0.4600	RFQ	2	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	4,000	nチャネル		30 V	13a（ta）	4.5V	11mohm @ 7a 、4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W
auirfs8409	2.4500	RFQ	10	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		40 v	195a（tc）	10V	1.2mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 PF @ 25 V	-	375W
IRF7452PBF	-	RFQ	4111	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		100 V	4.5a（ta）	10V	60mohm @ 2.7a、10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W
IRGP4063PBF	-	RFQ	7714	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	標準		330 W	TO-247AC	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-IRGP4063PBF-600047			1		400V 、48A 、10OHM15V												溝	600 V	96 a	144 a	2.14V @ 15V 、48a	625µj（1.28mj （オフ）	95 NC	60ns/145ns
AUIRF3808S	-	RFQ	8699	国際整流器	Automotive	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		75 v	106a（tc）		7mohm @ 82a 、10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W （TC）
94-2403	-	RFQ	3334	国際整流器	*	バルク	アクティブ								-						0000.00.0000	1
IRF3709ZPBF	0.4600	RFQ	5	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		30 V	87a（tc）		6.3mohm @ 21a 、10V	2.25V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	±20V	2130 PF @ 15 V	-	79W
IRF7413ZPBF	-	RFQ	8243	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		30 V	13a（ta）		10mohm @ 13a 、10V	2.25V @ 250µA	14 NC @ 4.5 v	±20V	1210 PF @ 15 V	-	2.5W
IRG4PSH71UDPBF	1.0000	RFQ	5303	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-274AA	標準		350 W	Super-247	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		960V 、70a											110 ns	-	1200 v	99 a	200 a	2.7V @ 15V 、70a	8.8mj（9.4mj	570 NC	46ns/250ns
IRF7201PBF	-	RFQ	1045	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		30 V	7.3a（tc）	4.5V 、10V	30mohm @ 7.3a 、10V	1V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	550 PF @ 25 V	-	2.5W
auirfr2307z	-	RFQ	2332	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		75 v	42a	10V	16mohm @ 32a 、10V	4V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±20V	2190 PF @ 25 V	-	110W
IRL3103PBF	1.0000	RFQ	2105	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		30 V	64a（tc）	4.5V 、10V	12mohm @ 34a 、10V	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 v	±16V	1650 PF @ 25 V	-	94W
auirf4104strl	1.4000	RFQ	456	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		40 v	75a（tc）		5.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	100 NC @ 10 V		3000 pf @ 25 v	-	140W
IRFU5305PBF	-	RFQ	9283	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3		モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251AA）	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-IRFU5305PBF-600047	ear99	0000.00.0000	1	pチャネル		55 v	31a（tc）	10V	65mohm @ 16a 、10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 25 V	-	110W
64-9174PBF	1.0000	RFQ	3748	国際整流器	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				336
IRFL4310PBF	-	RFQ	3702	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA		モスフェット（金属酸化物）		SOT-223	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		100 V	1.6a（ta）		200mohm @ 1.6a 、10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 PF @ 25 V	-	1W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1253）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²