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離散半導体製品（ 1253）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRLL2705PBF	1.0000	RFQ	9871	国際整流器	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）		SOT-223	-	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,760		nチャネル		55 v	3.8a（ta）	4V 、10V	40mohm @ 3.8a 、10V	2V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±16V	870 PF @ 25 V	-	1W
auirls3036-7p	2.9100	RFQ	2347	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		60 V	240a	4.5V 、10V	1.9mohm @ 180a 、10V	2.5V @ 250µA	160 NC @ 4.5 v	±16V	11270 PF @ 50 V	-	380W
IRF7306PBF	-	RFQ	2287	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF73		モスフェット（金属酸化物）	2W （TA）	8-SO	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	2 P-Channel （デュアル）			30V	3.6a（ta）		100mohm @ 1.8a 、10V	1V @ 250µA	25NC @ 10V		440pf @ 25V	ロジックレベルゲート
IRF6216PBF-IR	-	RFQ	6489	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		pチャネル		150 v	2.2a（ta）		240mohm @ 1.3a 、10V	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1280 PF @ 25 V	-	2.5W
IRF448	-	RFQ	1479	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204ae			モスフェット（金属酸化物）		to-204ae	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	114		nチャネル		500 V	7.9a		-	-		-		-	-
IRGP6650D-EPBF	3.0000	RFQ	750	国際整流器	-	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		306 W	TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	25			400V、35A 、10OHM 、15V											50 ns	-	600 V	80 a	105 a	1.95V @ 15V、35a	300µJ（on ）、 630µj（オフ）	75 NC	40ns/105ns
auirfs3206	-	RFQ	5001	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		60 V	120a（tc）	10V	3mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6540 PF @ 50 V	-	300W （TC）
auirls3034-7trl	3.0900	RFQ	4	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-8			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	240a	4.5V 、10V	1.4mohm @ 200a 、10V	2.5V @ 250µA	180 NC @ 4.5 v	±20V	10990 PF @ 40 V	-	380W
IRF6892STRPBF	0.7700	RFQ	3	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™s3c			モスフェット（金属酸化物）		DirectFet™S3C	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		25 v	28a（ta）、125a（tc）	4.5V 、10V	1.7mohm @ 28a 、10v	2.1V @ 50µA	25 NC @ 4.5 v	±16V	2510 pf @ 13 v	-	2.1W（Ta ）、42w（TC）
IRFS4610TRLPBF	1.0000	RFQ	3998	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		100 V	73a（tc）	10V	14mohm @ 44a 、10V	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 PF @ 50 V	-	190W
IRFH4210DTRPBF	1.2000	RFQ	937	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	IRFH4210		モスフェット（金属酸化物）		PQFN （5x6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		25 v	44a（ta）	4.5V 、10V	1.1mohm @ 50a 、10V	2.1V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	4812 PF @ 13 V	-	3.5W
IRG4BC15UDPBF	-	RFQ	5419	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		標準		49 W	TO-220AB	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-IRG4BC15UDPBF-600047			1			480v											28 ns	-	600 V	14 a	42 a	2.4V @ 15V 、7.8a	240µj（オン）、260µJ	23 NC	17ns/160ns
IRF7314PBF	-	RFQ	9305	国際整流器	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF731		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	3,800	2 P-Channel （デュアル）			20V	5.3a		58mohm @ 2.9a 、4.5V	700MV @ 250µA	29NC @ 4.5V		780pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRGPS40B120UPBF	5.4700	RFQ	6	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-274AA		標準		595 w	Super-247™（To-274AA	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			600V 、40A 、4.7OHM、15V												npt	1200 v	80 a	160 a	3.71V @ 15V 、50a	1.4MJ （オン）、1.65MJ	340 NC	-
auirl1404zl	1.5200	RFQ	1	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		TO-262	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	160a（tc）	4.5V 、10V	3.1mohm @ 75a 、10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 PF @ 25 V	-	200W （TC）
IRLU9343PBF	-	RFQ	3358	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		pチャネル		55 v	20a（tc）		105mohm @ 3.4a 、10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 PF @ 50 V	-	79W
IRF8721PBF	-	RFQ	4195	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	14a（ta）		8.5mohm @ 14a 、10V	2.35V @ 25µA	12 NC @ 4.5 v	±20V	1040 PF @ 15 V	-	2.5W
IRFS4010TRRPBF	-	RFQ	7522	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		100 V	180a（tc）	10V	4.7mohm @ 106a 、10v	4V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	9575 PF @ 50 V	-	375W
IRF6648TRPBF	-	RFQ	3453	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mn			モスフェット（金属酸化物）		directfet™mn	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		60 V	86a（tc）	10V	7mohm @ 17a 、10V	4.9V @ 150µA	50 NC @ 10 V	±20V	2120 pf @ 25 v	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
auirfr5305	-	RFQ	6880	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		pチャネル		55 v	31a（tc）	10V	65mohm @ 16a 、10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 25 V	-	110W
auirfs4010	-	RFQ	5900	国際整流器	Automotive	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		100 V	180a（tc）		4.7mohm @ 106a 、10v	4V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	9575 PF @ 50 V	-	375W
AUIRF2804S-7P	-	RFQ	2449	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7	auirf2804		モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	240a	10V	1.6mohm @ 160a 、10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 25 V	-	330W
IRF8308MTRPBF	1.1400	RFQ	10	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mx			モスフェット（金属酸化物）		DirectFet™MX	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	2,012		nチャネル		30 V	27a	4.5V 、10V	2.5mohm @ 27a 、10V	2.35V @ 100µA	42 NC @ 4.5 v	±20V	4404 PF @ 15 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IRF141	-	RFQ	4623	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	33		nチャネル		80 v	28a	-	-	-		-		-	150W
auirfr4105ztrl	-	RFQ	5466	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	auirfr4105		モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		55 v	20a（tc）	10V	24.5mohm @ 18a 、10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 PF @ 25 V	-	48W （TC）
IRGP4263PBF	2.7900	RFQ	6	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		300 W	TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			400V 、48A 、10OHM15V												-	650 V	90 a	192 a	2.1V @ 15V 、48a	1.7MJ	150 NC	70ns/140ns
IRFR7740TRPBF	1.0000	RFQ	7184	国際整流器	*	バルク	アクティブ									ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1
IRF6618TRPBF	-	RFQ	1163	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mt			モスフェット（金属酸化物）		DirectFet™MT	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-IRF6618TRPBF-600047			1		nチャネル		30 V	30a（ta ）、170a	4.5V 、10V	2.2mohm @ 30a 、10V	2.35V @ 250µA	65 NC @ 4.5 v	±20V	5640 PF @ 15 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IRFU3806PBF	-	RFQ	9256	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		60 V	43a（tc）		15.8mohm @ 25a 、10V	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W
IRF8252PBF	0.5900	RFQ	4827	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	116		nチャネル		25 v	25a（ta）	4.5V 、10V	2.7mohm @ 25a 、10V	2.35V @ 100µA	53 NC @ 4.5 v	±20V	5305 PF @ 13 V	-	2.5W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1253）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²