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離散半導体製品（ 1253）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRG4IBC20FDPBF	1.4900	RFQ	6690	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		標準		34 W	TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			480V 、9A 、50OHM、15V											37 ns	-	600 V	14.3 a	64 a	2V @ 15V、9a	250µj（640µj （オフ）	27 NC	43ns/240ns
IRF9233	2.1600	RFQ	301	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204ae			モスフェット（金属酸化物）		to-204ae	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	1		pチャネル		150 v	5.5a		-	-		-		標準	75W
IRFS23N15DTRLP	-	RFQ	3798	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		150 v	23a（tc）		90mohm @ 14a 、10V	5.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1200 PF @ 25 V	-	3.8W
IRF7832PBF	1.0000	RFQ	2985	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜155°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	20a（ta）	4.5V 、10V	4mohm @ 20a 、10v	2.32V @ 250µA	51 NC @ 4.5 v	±20V	4310 PF @ 15 V	-	2.5W
IRLU3802PBF	0.4800	RFQ	6	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		i-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		12 v	84a（tc）	2.8V 、4.5V	8.5mohm @ 15a 、4.5V	1.9V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±12V	2490 PF @ 6 V	-	88W
IRG4BC20UDPBF	-	RFQ	2008年年	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		標準		60 W	TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			480V 、6.5A 、50OHM、15V											37 ns	-	600 V	13 a	52 a	2.1V @ 15V 、6.5a	160µj（オン）、130µj （オフ）	41 NC	39ns/93ns
IRLS3036-7PPBF	-	RFQ	2232	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		60 V	240a	4.5V 、10V	1.9mohm @ 180a 、10V	2.5V @ 250µA	160 NC @ 4.5 v	±16V	11270 PF @ 50 V	-	380W
IRG4PC50KDPBF-IR	-	RFQ	7456	国際整流器	*	バルク	アクティブ									-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1
AUIRF2804S-7P-IR	-	RFQ	8609	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-AUIRF2804S-7P-IR	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		40 v	240a	10V	1.6mohm @ 160a 、10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 25 V	-	330W
auirf7379qtr	-	RFQ	8698	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	auirf7379		モスフェット（金属酸化物）	2.5W	8-SOIC	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nおよびpチャネル			30V	5.8a 、4.3a		45mohm @ 5.8a 、10V	3V @ 250µA	25NC @ 10V		520pf @ 25V	ロジックレベルゲート
auirf4104s	1.4900	RFQ	9	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	75a（tc）	10V	5.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	100 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 v	-	140W
IRFB4019PBF	-	RFQ	6584	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		150 v	17a（tc）	10V	95mohm @ 10a 、10V	4.9V @ 50µA	20 NC @ 10 V	±20V	800 PF @ 50 V	-	80W
IRGP4750DPBF	3.5900	RFQ	31	国際整流器	-	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		273 w	TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	25			400V、35A 、10OHM 、15V											150 ns	-	650 V	70 a	105 a	2V @ 15V、35a	1.3MJ	105 NC	50ns/105ns
IRLS3813PBF	-	RFQ	1135	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	31		nチャネル		30 V	160a（tc）	10V	1.95mohm @ 148a 、10V	2.35V @ 150µA	83 NC @ 4.5 v	±20V	8020 PF @ 25 V	-	195W
IRG4IBC20KDPBF	-	RFQ	5274	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		標準		34 W	TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			480V 、9A 、50OHM、15V											37 ns	-	600 V	11.5 a	23 a	2.8V @ 15V 、9a	340µJ（on 300µj （オフ）	34 NC	54ns/180ns
IRLR2703PBF	-	RFQ	8058	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	315		nチャネル		30 V	23a（tc）	4V 、10V	45mohm @ 14a 、10V	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 v	±16V	450 pf @ 25 v	-	45W
auirfr540ztrl	-	RFQ	1620	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		100 V	35a（tc）	10V	28.5mohm @ 21a 、10V	4V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	1690 PF @ 25 V	-	91W
IRFHS8242TRPBF	0.1800	RFQ	177	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	6-POWERVDFN			モスフェット（金属酸化物）		6-PQFN （2x2）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,689		nチャネル		25 v	9.9a	4.5V 、10V	13mohm @ 8.5a 、10V	2.35V @ 25µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	653 PF @ 10 V	-	2.1W
IRFU2405PBF	-	RFQ	7486	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251AA）	-				2156-IRFU2405PBF			1		nチャネル		55 v	56a（tc）	10V	16mohm @ 34a 、10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 25 v	-	110W
IRFHS8342TR2PBF	1.0000	RFQ	6854	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止		表面マウント	6-POWERVDFN			モスフェット（金属酸化物）		PG-TSDSON-6	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	400		nチャネル		30 V	8.8a		16mohm @ 8.5a 、10V	2.35V @ 25µA	8.7 NC @ 10 V		600 PF @ 25 V	-
IRF6616TRPBF	1.1500	RFQ	37	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mx			モスフェット（金属酸化物）		DirectFet™MX	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-IRF6616TRPBF-600047	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	19a（タタ）、 106a（tc）	4.5V 、10V	5mohm @ 19a 、10V	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 v	±20V	3765 PF @ 20 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IRFU1010ZPBF	0.4900	RFQ	4	国際整流器	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	75		nチャネル		55 v	42a	10V	7.5mohm @ 42a 、10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 PF @ 25 V	-	140W
IRF6621TRPBF	1.0000	RFQ	2414	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™sq			モスフェット（金属酸化物）		directfet™sq	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	12a（タタ）、 55a（tc）	4.5V 、10V	9.1mohm @ 12a 、10v	2.25V @ 250µA	17.5 NC @ 4.5 v	±20V	1460 PF @ 15 V	-	2.2W
IRFR6215TRPBF	1.0000	RFQ	6710	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		pチャネル		150 v	13a（tc）	10V	295mohm @ 6.6a 、10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 PF @ 25 V	-	110W
auirfr2607z	-	RFQ	3644	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	451		nチャネル		75 v	42a	10V	22mohm @ 30a 、10v	4V @ 50µA	51 NC @ 10 V	±20V	1440 PF @ 25 V	-	110W
IRFBA1405PPBF	-	RFQ	3070	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-273AA			モスフェット（金属酸化物）		Super-220™（to-273aa	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		55 v	174a（tc）	10V	5mohm @ 101a 、10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 PF @ 25 V	-	330W
auirf7669l2trct	-	RFQ	6784	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	DirectFet™等尺性L8			モスフェット（金属酸化物）		DirectFet L8	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-AUIRF7669L2TRCT-600047			1		nチャネル		100 V	19a（ta ）、114a（tc）	10V	4.4mohm @ 68a 、10V	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5660 PF @ 25 V	-	3.3W （TA ）、100W（TC）
IRFR4105PBF	-	RFQ	6447	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	254		nチャネル		55 v	27a（tc）	10V	45mohm @ 16a 、10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 PF @ 25 V	-	68W （TC）
auirf3710z	-	RFQ	2231	国際整流器	Automotive	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		100 V	59a（tc）		18mohm @ 35a 、10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W
IRFF9213	-	RFQ	5237	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-	穴を通して	To-205af Metal Can			モスフェット（金属酸化物）		to-205af（to-39）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		150 v	1.3a（tc）		-	-		-		-	15W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1253）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²