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離散半導体製品（ 1253）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
auirf7669l2tr	-	RFQ	1716	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	DirectFet™等尺性L8		auirf7669		モスフェット（金属酸化物）		DirectFet L8	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					100 V	19a（ta ）、114a（tc）	10V	4.4mohm @ 68a 、10V	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5660 PF @ 25 V	-	3.3W （TA ）、100W（TC）
IRG4RC10UTRPBF	0.4500	RFQ	4	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		IRG4RC10	標準		38 W	d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	2,000			480V 、5A 、100OHM15V															-	600 V	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V 、5a	80µj（on160µj （オフ）	15 NC	19ns/116ns
IRF1405ZSPBF	-	RFQ	8083	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					55 v	75a（tc）		4.9mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 PF @ 25 V	-	230W
IRAM136-1061A2-IR	13.5300	RFQ	561	国際整流器	imotion™	バルク	アクティブ		穴を通して	23-sip、19 のリード、形成されたリード	IGBT						ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1	3相インバーター			12 a	600 V	2000VRMS
IRFU1018EPBF	0.5500	RFQ	763	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3				モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	547		nチャネル					60 V	56a（tc）		8.4mohm @ 47a 、10V	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	2290 PF @ 50 V	-	110W
IRG4PC50UD-EPBF	1.0000	RFQ	2113	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			標準		200 W	TO-247AC	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			480V 、27A 、5OHM 、15V														50 ns	-	600 V	55 a	220 a	2V @ 15V、27a	990µj（オン）、590µJ	180 NC	46ns/140ns
IRG4PC50KDPBF	-	RFQ	2019年	国際整流器	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-IRG4PC50KDPBF-600047	ear99	8541.29.0095	1
IRF332	1.1900	RFQ	9430	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3				モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	49		nチャネル					400 V	4.5a	-	-	-		-		-	75W
IRG4PC30FDPBF	1.0000	RFQ	9564	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			標準		100 W	TO-247AC	-	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			480V 、17a 、23ohm15V														42 ns	-	600 V	31 a	120 a	1.8V @ 15V 、17a	630µj（on ）、 1.39mj （オフ）	51 NC	42ns/230ns
IRFF9133	-	RFQ	1380	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	To-205af Metal Can				モスフェット（金属酸化物）		to-205af（to-39）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	70		nチャネル					80 v	6.5a	-	-	-		-		-	25W
IRG7PSH50UDPBF	7.7100	RFQ	157	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			標準		462 w	Super-247™（To-274AA	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			600V、50a、5OHM 、15V														190 ns	溝	1200 v	116 a	150 a	2V @ 15V、50a	3.6MJ	440 NC	35ns/430ns
IRG4BC30KDSTRLP-IR	-	RFQ	4621	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			標準		100 W	d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1			480v														42 ns	-	600 V	28 a	56 a	2.7V @ 15V 、16a	600µJ （580µj （オフ）	67 NC	60ns/160ns
IRFZ34NSTRRPBF	-	RFQ	8825	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	100		nチャネル					55 v	29a	10V	40mohm @ 16a 、10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、68W（TC）
IRGP6640D-EPBF	1.0000	RFQ	1887	国際整流器	-	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3			標準		200 W	TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	25			400V 、24a 、10ohm15V														70 ns	-	600 V	53 a	72 a	1.95V @ 15V 、24A	90µj（オン）、600µJ	50 NC	40ns/100ns
IRF7101PBF	-	RFQ	9113	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IRF71		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	2 nチャンネル（デュアル）						20V	3.5a		100mohm @ 1.8a 、10V	3V @ 250µA	15NC @ 10V		320pf @ 15V	ロジックレベルゲート
auirf7313qtr	1.0000	RFQ	8983	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		auirf7313		モスフェット（金属酸化物）	2.4W	8-SOIC	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）						30V	6.9a		29mohm @ 6.9a 、10V	3V @ 250µA	33NC @ 10V		755pf @ 25V	ロジックレベルゲート
IRFS7437-7PPBF	-	RFQ	7487	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7				モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					40 v	195a（tc）		1.4mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7437 PF @ 25 V	-	231W
IRGB4630DPBF	2.3200	RFQ	650	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			標準		206 w	TO-220AC	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	130			400V、 18a														100 ns	-	600 V	47 a	54 a	1.95V @ 15V 、18a	95µj（on 350µj （オフ）	35 NC	40ns/105ns
IRG4BC40W-SPBF	-	RFQ	6338	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			標準		160 W	d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			480V 、20A、10OHM、15V															-	600 V	40 a	160 a	2.5V @ 15V 、20a	110µj（on ）、 230µj（オフ）	98 NC	27ns/100ns
IRG7PH44K10D-EPBF	4.3700	RFQ	4	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-247-3			標準		320 W	TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			600V 、25a 、10ohm15V														130 ns	-	1200 v	70 a	100 a	2.4V @ 15V 、25a	2.1MJ （オン）、1.3MJ （オフ）	200 NC	75ns/315ns
IRF7476TRPBF	1.0000	RFQ	5279	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	4,000		nチャネル					12 v	15a（ta）	2.8V 、4.5V	8mohm @ 15a 、4.5V	1.9V @ 250µA	40 NC @ 4.5 v	±12V	2550 pf @ 6 v	-	2.5W
IRGIB4620DPBF	-	RFQ	8410	国際整流器	-	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			標準		140 w	PG-to220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50			400V 、12A 、22OHM 、15V														68 ns	npt	600 V	32 a	36 a	1.85V @ 15V 、12a	185µj（on 355µj（オフ）	25 NC	31ns/83ns
IRFF131	-	RFQ	8627	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	To-205af Metal Can				モスフェット（金属酸化物）		to-205af（to-39）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	35		nチャネル					80 v	8a（tc）		-	-		-		-	-
IRF7328PBF	1.0000	RFQ	1583	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IRF732		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	2 P-Channel （デュアル）						30V	8a		21mohm @ 8a 、10V	2.5V @ 250µA	78NC @ 10V		2675pf @ 25V	ロジックレベルゲート
auirf7640s2tr	1.0000	RFQ	2236	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	directfet™sb				モスフェット（金属酸化物）		DirectFet SB	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					60 V	5.8a	10V	36mohm @ 13a 、10v	5V @ 25µA	11 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 v	-	2.4W
IRGS6B60KDTRRP	1.2400	RFQ	7372	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			標準		90 w	d2pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	64			400V、5a 、100OHM、15V														70 ns	npt	600 V	13 a	26 a	2.2V @ 15V 、5a	110µj（オン）、135µj （オフ）	18.2 NC	25ns/215ns
IRG7PH42UD-EP	-	RFQ	5281	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			標準		320 W	TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			600V 、30A 、10OHM15V														153 ns	溝	1200 v	85 a	90 a	2V @ 15V、30A	2.11MJ	157 NC	25ns/229ns
IRF6620TRPBF	0.6800	RFQ	1	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mx				モスフェット（金属酸化物）		DirectFet™MX	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	439		nチャネル					20 v	27a	4.5V 、10V	2.7mohm @ 27a 、10V	2.45V @ 250µA	42 NC @ 4.5 v	±20V	4130 PF @ 10 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
2N6759	-	RFQ	2657	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	to-204aa、to-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-204	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-2N6759-600047			1		nチャネル					350 V	4.5a	10V	1.5OHM @ 3.5A 、10V	4V @ 1MA	30 NC @ 10 V	±20V	800 PF @ 25 V	-	75W
auirlz24nstrl	0.6700	RFQ	82	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					55 v	18a（tc）	4V 、10V	60mohm @ 11a 、10V	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、45W（TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1253）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²